[发明专利]阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域与围绕所述显示区域的非显示区域，其特征在于，所述阵列基板还包括：

触控电极块，位于所述显示区域；

触控引线，与所述触控电极块电连接；

外围驱动电路，位于所述非显示区域；

所述外围驱动电路包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的顶栅极与所述触控引线同层形成；

所述阵列基板还包括衬底基板，所述驱动晶体管包括：

依次形成于所述衬底基板上的底栅极、非显示区栅极绝缘层和第二有源层；

第二源极和第二漏极，位于所述第二有源层远离所述衬底基板的一侧；

非显示区钝化层，位于所述第二源极和第二漏极远离所述衬底基板的一侧；

所述顶栅极位于所述非显示区钝化层远离所述衬底基板的一侧；

所述阵列基板还包括位于所述显示区域的显示晶体管与覆盖所述显示晶体管的显示区钝化层，所述触控引线位于所述显示区钝化层远离所述衬底基板的一侧，

所述显示晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的栅极、显示区栅极绝缘层、第一有源层，以及第一源极和第一漏极，

其中，所述栅极与所述底栅极同层形成，所述显示区栅极绝缘层与所述非显示区栅极绝缘层同层形成，所述第一有源层与所述第二有源层同层形成，所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极同层形成，所述显示区钝化层和非显示区钝化层同层形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层为金属氧化物半导体层，所述金属氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟锡锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物中的一种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述顶栅极的材料为非透明导电金属。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述顶栅极的材料为钼、铜、铝、银、钛、镍、铌、钕、钽、铬中的一种或者其合金。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极块位于所述显示区钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述触控电极块组成所述阵列基板上的公共电极。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

像素电极，位于所述显示区钝化层远离所述衬底基板的一侧；

显示区层间绝缘层，位于所述像素电极远离所述衬底基板的一侧；

所述触控电极块位于所述显示区层间绝缘层远离所述衬底基板的一侧，并通过贯穿所述显示区层间绝缘层的第一过孔与所述触控引线电连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的第一布线，所述顶栅极通过所述第一布线电连接至所述驱动晶体管的所述底栅极；

或者，所述顶栅极通过所述第一布线电连接至驱动IC。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一布线和所述驱动晶体管的底栅极同层形成，所述阵列基板还包括贯穿所述非显示区钝化层和所述非显示区栅极绝缘层的第三过孔，所述顶栅极通过所述第三过孔与所述第一布线电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一布线与所述驱动晶体管的所述第二源极同层形成，所述阵列基板还包括贯穿所述非显示区钝化层的第三过孔，所述顶栅极通过所述第三过孔与所述第一布线电连接。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述非显示区域的第二布线，所述触控引线通过所述第二布线电连接至驱动IC。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第二布线与所述驱动晶体管的所述底栅极同层形成，所述阵列基板还包括贯穿所述非显示区钝化层和所述非显示区栅极绝缘层的第四过孔，所述触控引线通过所述第四过孔与所述第二布线电连接。