[发明专利]侦测电路

权利要求书

1.一种侦测电路，其侦测一待测电源的状态，其特征在于，该侦测电路包含：

一第一侦测路径，一第一电流依据该待测电源而产生于该第一侦测路径；及

一第二侦测路径，一第二电流依据该待测电源而产生于该第二侦测路径；

其中，该侦测电路依据该第一电流与该第二电流产生一侦测讯号，该侦测讯号表示该待测电源的状态,该待测电源的状态包含一低电压状态及一掉电状态，该第一侦测路径操作于一第一工作电压，该第二侦测路径操作于一第二工作电压，该第一工作电压高于该第二工作电压。

2.如权利要求1所述的侦测电路，其特征在于，其中，于该第一电流产生前，该第二电流依据该待测电源而产生，该侦测讯号表示该待测电源处于该低电压状态。

3.如权利要求1所述的侦测电路，其特征在于，其中，于该第二电流降低前，该第一电流依据该待测电源而降低，该侦测讯号表示该待测电源处于该掉电状态。

4.如权利要求1所述的侦测电路，其特征在于，其中，该第一侦测路径上设有一提升电路，该提升电路提升该第一侦测路径的该第一工作电压，该提升电路驱使该第一工作电压高于该第二工作电压，当该待测电源的准位高于该第二工作电压的准位，该侦测电路产生该第二电流，当该待测电源的准位高于该第一工作电压的准位，该侦测电路产生该第一电流，该第一电流与该第二电流表示不同状态的该待测电源，该第一电流未产生时，该侦测讯号表示该待测电源处于该低电压状态或该掉电状态。

5.如权利要求4所述的侦测电路，其特征在于，其中，该提升电路包含至少一电阻器或至少一二极管或至少一N型晶体管或至少一P型晶体管或至少一双极性晶体管。

6.如权利要求1所述的侦测电路，其特征在于，其包含：

一第一电流产生电路，耦接于该待测电源，并依据该待测电源产生该第一电流于该第一侦测路径；

一第二电流产生电路，耦接该待测电源，并依据该待测电源产生该第二电流于该第二侦测路径，该侦测电路的一输出端经该第二电流产生电路耦接于该待测电源，该侦测讯号产生于该输出端；及

一晶体管，耦接于该侦测电路的该输出端与一接地端之间，该第一电流控制该晶体管的导通，而决定该侦测讯号的准位。

7.如权利要求6所述的侦测电路，其特征在于，其中；

该第一电流产生电路包含:

一第一电流镜，耦接一参考电流源与该待测电源，并依据该参考电流源与该待测电源产生该第一电流；

该第二电流产生电路包含:

一第二电流镜，耦接该参考电流源与该待测电源，并依据该参考电流源与该待测电源产生该第二电流。

8.如权利要求7所述的侦测电路，其特征在于，其包含：

一控制组件，耦接一提升电路与该晶体管，并依据该第一电流控制该晶体管的导通；

该第一电流镜包含:

一第一晶体管，耦接于该待测电源与该参考电流源之间；

一第二晶体管，耦接该第一晶体管、该参考电流源、该待测电源与该提升电路，依据该待测电源与该参考电流源产生该第一电流，该提升电路提升该第二晶体管产生该第一电流的工作电压；

该第二电流镜包含:

一第三晶体管，耦接该第一晶体管、该参考电流源、该待测电源与该侦测电路的该输出端，以依据该待测电源与该参考电流源产生该第二电流于该侦测电路的该输出端；及

其中，该控制组件依据该第一电流控制该晶体管的导通，而驱使该侦测电路的该侦测讯号的准位为该接地端的准位。

9.如权利要求8所述的侦测电路，其特征在于，其中，该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管为P型晶体管或PNP晶体管，该控制组件与该晶体管为N型晶体管或NPN晶体管。

10.如权利要求7所述的侦测电路，其特征在于，其中，该侦测电路包含：

一保护电路，耦接于该第二电流镜与该侦测电路的该输出端之间，提供一保护路径予该侦测电路。