[发明专利]一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201510899866.5 | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105428451A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 刘丽蕊;薛超;石璘;张无迪;姜明序 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 全方位 反射 倒装 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,包括:砷化镓衬底(140);太阳电池(130);全方位反射器;金属键合层;Si导电衬底(100);砷化镓衬底腐蚀后制作的金属栅线(151)和金属背电极(152),其特征在于,位于太阳电池(130)外延层之上的全方位反射器包括介质层(122)和金属反射层(121),介质层(122)的厚度在50-500nm,采用折射率低的SiOx、SiNx或TiO2中的一种或几种组合,金属反射层(121)的厚度100-500nm,采用反射率高的Ag、Al或Au。
2.根据权利要求1所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,所述介质层(122)的厚度200nm,金属反射层(121)的厚度100nm。
3.根据权利要求1所述的带全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,所述介质层(122)为一连续层,金属反射层(121)为金属离散体,其嵌在介质层并贯穿介质层。
4.根据权利要求3所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,在所述介质层(122)设置有导电孔,导电孔呈周期性分布,导电孔直径为5-15um,间距10-50um,导电孔为圆柱形或者长方体形,金属反射层嵌入导电孔,增加反射器反光的比例。
5.根据权利要求1所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,所述金属反射层为一连续层,介质层为离散体,其嵌在金属反射层并贯穿金属反射层。
6.根据权利要求1所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,在介质层(122)和金属反射层(121-1)之间加入一层金属氧化层(121-2),金属氧化层材料为氧化铟锡或氧化铟锌,厚度50埃-100埃。
7.根据权利要求6所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,介质层折射率大于金属氧化层的折射率,同时金属氧化层反射率小于金属反射层的反射率。
8.根据权利要求1所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池,其特征在于,电池外延层的外侧的介质层依次采用折射率不同的第一介质层、第二介质层,电池外延层、第一介质层、第二介质层三者折射率呈递减趋势。
9.如权利要求1所述的带有全方位反射器的倒装多结太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)提供一砷化镓生长衬底,用于太阳电池外延生长;
(2)在所述的衬底上,金属有机化学气相沉积技术生长倒装多结太阳电池外延层;
(3)在太阳电池外延层上生长介质,用光刻、湿蚀刻的方法在介质层上开一些周期性导电孔,并在介质层上生长金属反射层;
(4)生长完金属反射层的电池外延片和Si基板生长金属键合层,并高温键合;
(5)对上述键合片,砷化镓衬底进行腐蚀,转换成Si导电衬底;
(6)去除砷化镓衬底后,在太阳电池外延层进行栅线制作,在Si导电衬底进行背电极生长;
(7)在栅线表面,生长减反膜增加光的入射。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所,未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510899866.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:GaN基LED外延片及其制备方法
- 下一篇:一种薄膜型光伏组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的