[发明专利]基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路

权利要求书

1.一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，包括：级联的多级GOA单元，每一级GOA单元均包括：扫描控制单元(100)、正向扫描下拉单元(200)、反向扫描下拉单元(300)、及输出单元(400)；

设n为正整数，除第一级、第二级、倒数第二级、及最后一级GOA单元外，在第n级GOA单元中：

所述扫描控制单元(100)包括：第一薄膜晶体管(T1)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于上两级第n-2级GOA单元的输出端(G(n-2))，源极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极；第三薄膜晶体管(T3)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于下两级第n+2级GOA单元的输出端(G(n+2))，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极，源极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)；以及第四薄膜晶体管(T4)，所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；

所述正向扫描下拉单元(200)包括：第五薄膜晶体管(T5)，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第二节点(P1(n))；第六薄膜晶体管(T6)，所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，漏极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十三薄膜晶体管(T13)，所述第十三薄膜晶体管(T13)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，漏极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第九薄膜晶体管(T9)，所述第九薄膜晶体管(T9)的栅极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；以及第十薄膜晶体管(T10)，所述第十薄膜晶体管(T10)的栅极电性连接于第二节点(P1(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于输出端(G(n))；

所述反向扫描下拉单元(300)包括：第八薄膜晶体管(T8)，所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于正向扫描直流控制信号(U2D)，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第三节点(P2(n))；第七薄膜晶体管(T7)，所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于反向扫描直流控制信号(D2U)，源极电性连接于恒压高电位(VGH)，漏极电性连接于第三节点(P2(n))；第十四薄膜晶体管(T14)，所述第十四薄膜晶体管(T14)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，漏极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)；第十一薄膜晶体管(T11)，所述第十一薄膜晶体管(T11)的栅极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于第一节点(Q(n))；以及第十二薄膜晶体管(T12)，所述第十二薄膜晶体管(T12)的栅极电性连接于第三节点(P2(n))，源极电性连接于恒压低电位(VGL)，漏极电性连接于输出端(G(n))；

所述输出单元(400)包括：第二薄膜晶体(T2)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一节点(Q(n))，源极电性连接于第M条时钟信号(CK(M))，漏极电性连接于输出端(G(n))；以及自举电容(C1)，所述自举电容(C1)的一端电性连接于第一节点(Q(n))，另一端电性连接于输出端(G(n))；

所述正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的电位相反。

2.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，第一节点(Q(n))、第二节点(P1(n))、及第三节点(P2(n))的电位均受正向扫描直流控制信号(U2D)与反向扫描直流控制信号(D2U)的控制。

3.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，在第一级GOA单元和第二级GOA单元中，第一薄膜晶体管(T1)的栅极均电性连接于电路起始信号(STV)。

4.如权利要求1所述的基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，其特征在于，在最后一级GOA单元和倒数第二级GOA单元中，第三薄膜晶体管(T3)的栅极均电性连接于电路起始信号(STV)。