[发明专利]监测基座温度均匀性的方法有效
| 申请号： | 201510900577.2 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106856181B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 林志鑫;史红涛;肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监测 基座 温度 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，包括步骤：
提供晶圆，在所述晶圆上形成至少一层二氧化硅，对所述二氧化硅的光学特性进行第一次测量；
将所述晶圆放置在基座上；
升至制程所需的温度，并向反应腔室通入氢气，对所述二氧化硅的光学特性进行第二次测量；
卸载晶圆，由第一次测量和第二次测量的差值获得光学特性的变化，以获得温度的均匀性。
2.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，所述二氧化硅为2层。
3.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，所述二氧化硅采用化学气相沉积形成。
4.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度范围是50埃～500埃。
5.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，所述制程所需的温度大于等于1000摄氏度。
6.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，测试晶圆表面若干点处的二氧化硅光学特性的变化，获得晶圆表面二氧化硅光学特性变化的均匀性。
7.如权利要求1所述的监测基座温度均匀性的方法，其特征在于，所述光学特性包括折射率及消光系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
