[发明专利]一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器

权利要求书

1.一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器，设于原子层沉积设备反应腔室内，位于放置硅片的基座正上方，其特征在于，所述气体分配器包括一本体，所述本体内设有气体分配网络，所述气体分配网络包括若干个气体分配主管，其以内端作为共同连通点形成均匀的辐射状设置，各气体分配主管两侧以相同夹角分别均匀设有若干气体分配支管,位于相邻气体分配主管之间的各气体分配支管相互平行设置,所述气体分配主管通过由其共同连通点上方引出的进气管连通至本体的进气口，沿各气体分配支管均匀地向下垂直设有若干出气管，各出气管分别连通至本体下端面对应的出气口，所述气体分配主管、支管的外端封闭；其中，各气体分配主管、支管的横截面积按朝向其各自的外端方向逐渐减小设置，气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向逐渐减小设置。

2.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配网络的数量为1至若干个；其中，当所述气体分配网络的数量为2个及以上时，各气体分配网络之间按上、下层错位独立设置，各气体分配网络的进气管分别连通本体设有的对应进气口、出气管分别连通本体下端面设有的对应出气口，各气体分配网络全部的出气管在垂直于基座方向分别形成的投影区域能够将基座上放置的硅片覆盖在内。

3.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管、支管的横截面为圆形、椭圆形、矩形、正多边形或异形中的任意一种形状。

4.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管、支管位于相同水平面，所述本体的下端面为水平面。

5.根据权利要求1或2所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配支管在气体分配主管的两侧错位设置。

6.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，各所述气体分配主管或支管的横截面积朝向其外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间的横截面积按朝向其连通的气体分配主管外端方向以等比例减小或等面积量减小方式设置。

7.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述气体分配主管的数量为3-6个。

8.根据权利要求1所述的气体分配器，其特征在于，所述夹角为180°/n,其中n为气体分配主管的个数。

9.根据权利要求8所述的气体分配器，其特征在于，所述夹角为30-60°。

10.根据权利要求1或6所述的气体分配器，其特征在于，各所述气体分配主管或支管横截面积的减小总量为50～90％；气体分配主管两侧的各气体分配支管内端之间横截面积的减小总量为10～50％。