[发明专利]静态随机存取存储器有效
申请号: | 201510900831.9 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN106653755B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 永井享浩 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L29/423;H01L21/8244 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静态 随机存取存储器 | ||
1.一种静态随机存取存储器,包括至少一静态随机存取存储单元,该静态随机存取存储单元的栅极布局包括:
第一条状掺杂区、第二条状掺杂区、第三条状掺杂区与第四条状掺杂区,依序设置于一基底中且彼此分离,其中该第一条状掺杂区与该第四条状掺杂区具有第一导电型,且该第二条状掺杂区与该第三条状掺杂区具有第二导电型;
凹入式栅极线,相交于该第一条状掺杂区、该第二条状掺杂区、该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区,其中该第一条状掺杂区、该第二条状掺杂区、该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区在与该凹入式栅极线的相交处断开;
第一栅极线,相交于该第一条状掺杂区与该第二条状掺杂区,其中该第一条状掺杂区与该第二条状掺杂区在与该第一栅极线的相交处断开;以及
第二栅极线,相交于该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区,其中该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区在与该第二栅极线的相交处断开。
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中该凹入式栅极线的顶表面低于该基底的顶表面。
3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中该第一栅极线包括平面式导线或凹入式导线。
4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中该第二栅极线包括平面式导线或凹入式导线。
5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中位于该凹入式栅极线与该第一栅极线之间的该第一条状掺杂区与该第二条状掺杂区通过一第一连接构件而电连接。
6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器,其中该第一连接构件包括狭缝接触窗或导线与接触窗的组合。
7.如权利要求5所述的静态随机存取存储器,其中该第二栅极线电连接至该第一连接构件。
8.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中位于该凹入式栅极线与该第二栅极线之间的该第三条状掺杂区与该第四条状掺杂区通过一第二连接构件而电连接。
9.如权利要求8所述的静态随机存取存储器,其中该第二连接构件包括狭缝接触窗或导线与接触窗的组合。
10.如权利要求8所述的静态随机存取存储器,其中该第一栅极线电连接至该第二连接构件。
11.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中在该第一栅极线与该第二栅极线远离该凹入式栅极线的一侧,该第二条状掺杂区与该第三条状掺杂区通过一第三连接构件进行电连接。
12.如权利要求11所述的静态随机存取存储器,其中该第三连接构件包括狭缝接触窗、连接用掺杂区或导线与接触窗的组合。
13.如权利要求1所述的静态随机存取存储器,其中该至少一静态随机存取存储单元的数量为多个,且在该第一栅极线与该第二栅极线远离该凹入式栅极线的一侧,位于相邻两个静态随机存取存储单元之间的该第一条状掺杂区与该第四条状掺杂区通过一第四连接构件进行电连接。
14.如权利要求13所述的静态随机存取存储器,其中该第四连接构件包括狭缝接触窗、连接用掺杂区或导线与接触窗的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的