[发明专利]晶元级封装的倒装LED器件及其分割单元和制作方法有效

专利信息
申请号: 201510900839.5 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN106856220B 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 郝茂盛;张楠;袁根如 申请(专利权)人: 上海芯元基半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/50
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 钟守期;王媛
地址: 201200 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶元级 封装 倒装 led 器件 及其 分割 单元 制作方法
【权利要求书】:

1.一种晶元级封装的倒装LED器件,其特征在于,包括:倒装的包含一个以上LED芯片的LED芯片晶元/阵列、导电基板(4)和荧光粉透明基板(5),

其中,

所述LED芯片包括P型金属焊盘(205)、N型金属焊盘(204)以及将P型金属焊盘(205)和N型金属焊盘(204)隔开的电极隔离走道(206);

所述导电基板(4)的一面设有金属层a(401),该金属层a(401)与LED芯片的P型金属焊盘(205)和N型金属焊盘(204)金属键合;所述导电基板(4)的另一面设有金属层b(402),该金属层b(402)形成所述LED器件的P型金属电极和N型金属电极(404);所述导电基板(4)上设有与所述电极隔离走道对应的通槽(403),该通槽(403)将所述LED器件的P型金属电极和N型金属电极(404)隔离开;

所述荧光粉透明基板(5)包括透明基板(501)和透明基板(501)内和/或透明基板至少一个面上的荧光粉胶体(503),所述荧光粉透明基板(5)与所述LED芯片剥离掉生长衬底的出光面结合。

2.根据权利要求1所述的晶元级封装的倒装LED器件,其特征在于,其中相邻LED芯片的P型金属焊盘(205)和N型金属焊盘(204)为非对称排列,从而使相邻电极的电极隔离走道(206)错开设置。

3.根据权利要求1或2所述的晶元级封装的倒装LED器件,其特征在于,所述LED芯片之间设有深刻蚀走道(3),刻蚀深度至所述LED芯片未剥离生长衬底时的生长衬底层;所述通槽(403)的长度大于所述电极隔离走道(206)的长度,且其至少一端与所述深刻蚀走道连通。

4.根据权利要求1或2所述的晶元级封装的倒装LED器件,其特征在于,所述透明基板(501)的一个表面具有平整的表面和/或周期性的凹槽(502),所述荧光粉胶体(503)设于透明基板(501)平整的表面上和/或周期性的凹槽(502)中,所述荧光粉胶体(503)的表面与所述LED芯片剥离掉生长衬底的出光面结合。

5.根据权利要求1或2所述的晶元级封装的倒装LED器件,其特征在于,所述LED芯片剥离掉生长衬底的出光面经过粗化处理;和/或所述LED芯片的侧壁设有侧壁反射镜,且LED芯片的P型欧姆接触层具有反射镜的功能;和/或所述透明基板未设荧光粉胶体的表面,也即所述LED器件的出光面经过粗化处理。

6.权利要求1至5之一所述的晶元级封装的倒装LED器件分割而成的倒装LED器件分割单元。

7.权利要求1至5之一所述的晶元级封装的倒装LED器件的制作方法,包括:

(a)提供带生长衬底的包含一个以上LED芯片的LED芯片晶元/阵列,所述LED芯片包括P型金属焊盘(205)、N型金属焊盘(204)以及将P型金属焊盘(205)和N型金属焊盘(204)隔开的电极隔离走道(206);

(b)提供导电基板(4),所述导电基板(4)的一面设金属层a(401),该金属层a(401)与LED芯片的P型金属焊盘(205)和N型金属焊盘(204)金属键合;所述导电基板(4)的另一面设金属层b(402),该金属层b(402)形成所述LED器件的P型金属电极和N型金属电极(404);所述导电基板上设与所述电极隔离走道(206)对应的通槽(403),该通槽(403)将所述LED器件的P型金属电极和N型金属电极(404)隔离开;

(c)将所述LED芯片的生长衬底剥离,暴露出LED芯片的出光面;

(d)提供荧光粉透明基板(5),所述荧光粉透明基板(5)包括透明基板(501)和透明基板(501)内和/或透明基板至少一个面上的荧光粉胶体(503);

(e)所述荧光粉透明基板(5)与所述LED芯片剥离掉生长衬底的出光面结合,形成具有荧光粉透明基板结构的晶元级封装的倒装LED器件;

其中所述包含一个以上LED芯片的LED芯片晶元/阵列、导电基板(4)和荧光粉透明基板(5)的准备不分先后。

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