[发明专利]一种流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法有效
申请号: | 201510901137.9 | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105447762B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 成志刚;石玉江;罗少成;陈玉林;李素娟;张海涛;郑小敏;肖飞;吴有彬;唐冰娥 | 申请(专利权)人: | 中国石油天然气集团公司;中国石油集团测井有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 100007 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 水淹 电阻率变化 电阻率 低渗透油藏水 函数关系 流体替换 声波时差 水淹级别 原始流体 自然伽马 测井 物性 测井曲线 实际测量 响应特征 岩性 | ||
1.一种流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)获取区域中储层水淹前后测井的响应特征,并从所述区域中储层水淹前后测井的响应特征中选取水淹前后岩性和物性无明显变化的自然伽马GR及声波时差AC测井曲线;
2)选取区域中未水淹的模型井的测井信息,再根据未水淹的模型井的测井信息建立储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系;
3)利用步骤2)得到的储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系计算对区域中已水淹的模型井,确定已水淹的模型井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率t1,并将已水淹的模型井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率t1与实际测量得到的已水淹的模型井的电阻率t2进行对比,得已水淹的模型井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率t1与实际测量得到的已水淹的模型井的电阻率t2之间的电阻率变化值△Rt;
4)由区域中已水淹的模型井的试油信息确定含水率Fw,根据所述含水率Fw以及步骤3)得到的电阻率变化值△Rt建立电阻率变化值△Rt识别水淹级别的划分标准;
5)利用步骤2)得到的储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系对区域中待评价井进行计算,得区域中待评价井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率,然后将区域中待评价井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率与实际测量得到的待评价井的电阻率进行对比,确定区域中待评价井的储层孔隙中所含原始流体的电阻率与实际测量得到的待评价井的电阻率之间的电阻率变化值△Rs,然后根据所述电阻率变化值△Rs以及步骤4)得到的水淹级别的划分标准确定区域中待评价井的水淹信息。
2.根据权利要求1所述的流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法,其特征在于,根据未水淹的模型井的测井信息建立储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系的具体操作为:
根据未水淹的模型井的测井信息基于模糊聚类数学方法建立储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系。
3.根据权利要求2所述的流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法,其特征在于,根据未水淹的模型井的测井信息建立储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马及声波时差的函数关系的具体操作为:
根据所述模型井的测井信息确定待测区域的电阻率样本Rt,再对待测区域的电阻率样本Rt进行分类,并设置待测区域的电阻率样本Rt的模糊识别矩阵U和中心指标向量S,然后通过循环迭代求解最优模糊识别矩阵U·、最优模糊聚类中心指标S·及变量权重W·,然后根据最优模糊识别矩阵U·、最优模糊聚类中心指标S·及变量权重W·确定储层孔隙中所含原始流体的电阻率与自然伽马和声波时差的函数关系,其中,
Rt·=a×H+b;H=f(GR AC U· S· W· ρ)
式中,Rt·为储层孔隙中所含原始流体的电阻率曲线数据,a和b为模型系数,f为映射的函数关系,GR和AC为归一化后的自然伽马和声波时差测井数据,0.9≤ρ。
4.根据权利要求3所述的流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法,其特征在于,采用模糊聚类数学方法确定模型系数a和b,得a=0.1783,b=1.003。
5.根据权利要求3所述的流体替换的低渗透油藏水淹信息的计算方法,其特征在于,采用模糊聚类数学方法确定最优模糊聚类中心指标S·,得
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油天然气集团公司;中国石油集团测井有限公司,未经中国石油天然气集团公司;中国石油集团测井有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510901137.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储装置
- 下一篇:太阳能电池和用于产生太阳能电池的工艺