[发明专利]MoS2纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件及其制备方法

权利要求书

1.MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的制备方法，包括如下步骤：

1)将MoS₂纳米薄片正极分散在带有氧化层SiO₂的硅基底上，氧化层SiO₂作为背栅介电层，硅基底作为背栅电极；

2)在所述的MoS₂纳米薄片正极上制作金属源极和漏极，并制作对电极金属作为电容器负极和离子液体顶栅电极；

3)在金属源极和漏极上制作保护层，得到制备好的基片；

4)将离子液体电解液滴涂在基片表面，完成MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的组装。

2.根据权利要求1所述的MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的制备方法，其特征在于，所述的MoS₂纳米薄片为至少一层。

3.根据权利要求1所述的MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的制备方法，其特征在于：离子液体电解液为下述材料中的一种：KOH、KCl、NaCl、Na₂SO₄或K₂SO₄。

4.权利要求1-3任意制备方法所得的MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件。

5.原位分析MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件的容量增强机制，包括如下步骤：

1)对MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件在不同的充放电状态下进行原位的电输运性能分析，即在不同离子液体顶栅电极下加不同电压下测试MoS₂纳米薄片场效应输出特性；

2)在背栅电极上加不同的正的栅极电压，对MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件在不同的充放电状态下进行原位的电输运性能分析，进一步得出该正的栅极电压对MoS₂纳米薄片电导率促进作用和对离子调控作用；

3)在背栅电极上加不同的正的栅极电压，对MoS₂纳米薄片双栅场效应晶体管/超级电容器复合器件在不同的充放电状态下进行电化学性能测试，结合原位的电输运性能分析，得出MoS₂纳米薄片场效应调控容量增强机制；

4)采用场发射扫描电子显微镜对充放电前后的MoS₂纳米薄片分别进行原位形貌表征。