[发明专利]一种高效太阳电池的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510901412.7 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN105529381B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 肖斌;宋慧娟 申请(专利权)人: 天合光能股份有限公司;湖北天合光能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L21/02
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 郭小丽
地址: 213031 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高效 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高效太阳电池的制备方法,其特征在于,包括步骤:

将原料硅片依次经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结,得到高效太阳电池;

所述的扩散包括:在三氯氧磷气氛中对制绒后的硅片进行单面低方阻扩散,扩散后方阻控制在50Ω/□-55Ω/□;

所述的抛光包括:硅片的扩散面朝上放入60℃-80℃碱溶液中进行背面抛光,清洗,烘干;

抛光过程中,所述的碱溶液是质量百分浓度为10%-35%的KOH水溶液或者质量百分浓度为10%-35%的NaOH水溶液;所述背面抛光的时间为5.5min-8.0min;抛光过程中,所述硅片以1.5m/min-2.2m/min的速率通过60℃-80℃碱溶液;

所述的制作选择性发射极包括:a.在抛光后的硅片的电极栅线区域印刷油墨作为掩模,烘干;

b.刻蚀:将硅片的扩散面朝上,在扩散面铺满水膜,放入第一HNO3/HF混合水溶液中对硅片背面进行第二次背面抛光,清洗;再将硅片放入第二HNO3/HF混合水溶液中对无油墨保护的发射极区域进行正刻蚀,形成浅扩散层,清洗;

所述的第一HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为30%-42%,HF的质量百分浓度为2%-10%;所述的第二HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为10%-26%,HF的质量百分浓度为2%-12%;

c.去油墨处理:将硅片依次经过20℃-30℃粗碱溶液和20℃-30℃精碱溶液将油墨洗掉,形成清晰的蜡印区域,清洗后将硅片放入HF水溶液中去除硅片上存在的氧化层,清洗,烘干,硅片上形成选择性发射极。

2.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述第二次背面抛光的时间为1.36min-2.00min;所述正刻蚀的时间为0.55min-0.8min。

3.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述的第一HNO3/HF混合水溶液的温度为10℃±2℃,所述的第二HNO3/HF混合水溶液的温度为10℃±2℃。

4.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述硅片以1.5m/min-2.2m/min的速率通过第一HNO3/HF混合水溶液和第二HNO3/HF混合水溶液。

5.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述的粗碱溶液是质量百分浓度为7%-14%的KOH水溶液或者质量百分浓度为7%-14%的NaOH水溶液;

所述的精碱溶液是质量百分浓度为4%-12%的KOH水溶液或者质量百分浓度为4%-12%的NaOH水溶液。

6.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述的HF水溶液的质量百分浓度为4%-12%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司;湖北天合光能有限公司,未经天合光能股份有限公司;湖北天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510901412.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top