[发明专利]一种高效太阳电池的制备方法有效
申请号: | 201510901412.7 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105529381B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 肖斌;宋慧娟 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司;湖北天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L21/02 |
代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种高效太阳电池的制备方法,其特征在于,包括步骤:
将原料硅片依次经过制绒、扩散、抛光、制作选择性发射极、镀减反射膜和丝网印刷、烧结,得到高效太阳电池;
所述的扩散包括:在三氯氧磷气氛中对制绒后的硅片进行单面低方阻扩散,扩散后方阻控制在50Ω/□-55Ω/□;
所述的抛光包括:硅片的扩散面朝上放入60℃-80℃碱溶液中进行背面抛光,清洗,烘干;
抛光过程中,所述的碱溶液是质量百分浓度为10%-35%的KOH水溶液或者质量百分浓度为10%-35%的NaOH水溶液;所述背面抛光的时间为5.5min-8.0min;抛光过程中,所述硅片以1.5m/min-2.2m/min的速率通过60℃-80℃碱溶液;
所述的制作选择性发射极包括:a.在抛光后的硅片的电极栅线区域印刷油墨作为掩模,烘干;
b.刻蚀:将硅片的扩散面朝上,在扩散面铺满水膜,放入第一HNO3/HF混合水溶液中对硅片背面进行第二次背面抛光,清洗;再将硅片放入第二HNO3/HF混合水溶液中对无油墨保护的发射极区域进行正刻蚀,形成浅扩散层,清洗;
所述的第一HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为30%-42%,HF的质量百分浓度为2%-10%;所述的第二HNO3/HF混合水溶液中HNO3的质量百分浓度为10%-26%,HF的质量百分浓度为2%-12%;
c.去油墨处理:将硅片依次经过20℃-30℃粗碱溶液和20℃-30℃精碱溶液将油墨洗掉,形成清晰的蜡印区域,清洗后将硅片放入HF水溶液中去除硅片上存在的氧化层,清洗,烘干,硅片上形成选择性发射极。
2.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述第二次背面抛光的时间为1.36min-2.00min;所述正刻蚀的时间为0.55min-0.8min。
3.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述的第一HNO3/HF混合水溶液的温度为10℃±2℃,所述的第二HNO3/HF混合水溶液的温度为10℃±2℃。
4.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述硅片以1.5m/min-2.2m/min的速率通过第一HNO3/HF混合水溶液和第二HNO3/HF混合水溶液。
5.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述的粗碱溶液是质量百分浓度为7%-14%的KOH水溶液或者质量百分浓度为7%-14%的NaOH水溶液;
所述的精碱溶液是质量百分浓度为4%-12%的KOH水溶液或者质量百分浓度为4%-12%的NaOH水溶液。
6.根据权利要求1所述的高效太阳电池的制备方法,其特征在于,步骤c中,所述的HF水溶液的质量百分浓度为4%-12%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的