[发明专利]一种硅微纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201510901448.5 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105347345A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 彭奎庆;胡雅 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00 |
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| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 制备 方法 | ||
1.一种硅微纳米结构的制备方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行：
(i).在硅衬底表面沉积碳材料：
(1)通过旋涂技术将石墨粉或碳纳米颗粒或碳纳米纤维分布在硅衬底表面；
(2)利用真空沉积技术在硅衬底表面沉积均匀分布的碳膜，然后在真空保护气氛下退火；
(3)利用化学气相生长方法在硅衬底表面生长碳纳米管；
(ii).形成硅微纳米结构：
(4)将步骤(1)或(2)或(3)得到的硅衬底浸入氢氟酸和过氧化氢混合水溶液中，在20-50摄氏度处理2-180分钟即可得到硅微纳米结构；
(5)将步骤(1)或(2)或(3)得到的硅衬底浸入氢氟酸和硝酸或用硝酸盐替换硝酸的混合水溶液中，在20-50摄氏度处理2-180分钟即可得到硅微纳米结构；
(6)将步骤(1)或(2)或(3)得到的硅衬底放置在石墨板或金板、银板、铂板上并使二者密切接触，随后一起浸入含有溶解氧的氢氟酸溶液中，在20-50摄氏度条件下腐蚀5-360分钟即可得到硅微纳米结构；
(7)将步骤((1)或(2)或(3)得到的硅衬底放置在聚四氟乙烯板或石墨板、金板、银板、铂板上，随后一起放入含有氧气的氢氟酸蒸汽中，在20-50摄氏度条件下腐蚀5-360分钟即可得到硅微纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一种硅微纳米结构的制备方法，所述步骤(4)和(5)中的氢氟酸浓度范围为0.5-20mol/L，过氧化氢浓度范围为0.02-3mol/L，硝酸盐浓度范围为0.05-0.50mol/L。
3.根据权利要求1所述的一种硅微纳米结构的制备方法，所述步骤(i)中的硅衬底材料是硅片或硅粉。
4.根据权利要求1所述的一种硅微纳米结构的制备方法，所述步骤(ii)得到的硅微纳米结构是一种锂离子电池负极材料，同时也是一种气敏材料。
5.根据权利要求1所述的一种硅微纳米结构的制备方法，所述步骤(ii)得到的硅微纳米结构是一种光伏电池材料，同时也是一种热电材料。
6.根据权利要求1所述的一种硅微纳米结构的制备方法，所述步骤(ii)得到的硅微纳米结构是一种光催化材料。
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