[发明专利]电路和用于测量电流的方法

权利要求书

1.一种电路，被配置为从供应电压提供电流到负载，包括：

第一晶体管；

第二晶体管；以及

探测电路，被配置为探测通过第二晶体管的电流；

其中，第一晶体管比第二晶体管具有更大的有源区域；

其中，相同的电压被施加在第一晶体管的控制端子与第一晶体管的第一受控端子之间 并且被施加在第二晶体管的控制端子与第二晶体管的第一受控端子之间；

其中，探测电路被耦合到第二晶体管的第二受控端子；并且

其中，探测电路被耦合到供应电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其中

第一晶体管和第二晶体管两者都是以下各项中的一个：

金属氧化物半导体场效应晶体管，其中控制端子是栅极端子，第一受控端子是源极端 子，并且第二受控端子是漏极端子；以及

绝缘栅双极型晶体管，其中控制端子是栅极端子，第一受控端子是发射极端子，并且第 二受控端子是集电极端子。

3.根据权利要求1所述的电路，其中

第一晶体管和第二晶体管是以下各项中的一个：

集成在共同的衬底上的垂直共同源极的晶体管；其中第一晶体管和第二晶体管具有分 离的漏极电极；以及

集成在共同的衬底上的垂直共同发射极的晶体管；其中第一晶体管和第二晶体管具有 分离的集电极电极。

4.根据权利要求1所述的电路，其中

第一晶体管和第二晶体管是：

源极向下晶体管，在垂直共同源极的晶体管的情况下；以及

发射极向下晶体管，在垂直共同发射极的晶体管的情况下。

5.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：

调整器电路，被配置为设置以下各项中的一个：

第一晶体管的第一受控端子和第二晶体管的第一受控端子以具有相同的电势；以及

第一晶体管的第二受控端子和第二晶体管的第二受控端子以具有相同的电势。

6.根据权利要求5所述的电路，其中

调整器电路包括运算放大器和第三晶体管；其中

运算放大器的输出被耦合到第三晶体管的控制端子；

如果调整器电路被配置为设置第一晶体管的第一受控端子和第二晶体管的第一受控 端子以具有相同的电势，则第三晶体管的第一受控端子被耦合到第二晶体管的第一受控端 子；并且运算放大器的输入被耦合在第一晶体管的第一受控端子与第二晶体管的第一受控 端子之间；并且

如果调整器电路被配置为设置第一晶体管的第二受控端子和第二晶体管的第二受控 端子以具有相同的电势，则第三晶体管的第一受控端子被耦合到第二晶体管的第二受控端 子；并且运算放大器的输入被耦合在第一晶体管的第二受控端子与第二晶体管的第二受控 端子之间。

7.根据权利要求6所述的电路，进一步包括以下各项中的至少一个：

电阻器，被耦合到第三晶体管的第一受控端子；以及

具有电平位移器的第四晶体管，其中第四晶体管的第二受控端子被耦合到第三晶体管 的第二受控端子，并且第四晶体管的控制端子经由电平位移器被耦合到第三晶体管的控制 端子。

8.根据权利要求1所述的电路，其中

探测电路包括被耦合在以下各项中的一个之间的电阻器：

地电势与第二晶体管的第二受控端子；

供应电势与第二晶体管的第二受控端子；以及

第一晶体管的第二受控端子与第二晶体管的第二受控端子。

9.根据权利要求8所述的电路，其中

探测电路进一步包括横跨电阻器被耦合的比较器，其中比较器被连接到供应电压。

10.根据权利要求8所述的电路，其中

第一晶体管的第二受控端子与第二晶体管的第二受控端子被耦合到共同的供应电势； 并且

比较器由共同的供应电势来供电。