[发明专利]一种改善SiC/SiO2界面态密度的方法

权利要求书

1.一种改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

A1、基片表面清洗：对N-/N+型SiC外延片的表面进行标准湿法工艺清洗；

A2、底层栅介质层生长：对进行了标准清洗的SiC外延片进行底层SiO₂层的生长；

A3、PDS退火：对生长了SiO₂栅介质层的SiC样品在PDS炉子中进行P氛围退火；

A4、顶部栅介质层的淀积：对进行PDS退火之后的SiC样品利用LPCVD方法淀积顶部SiO₂介质层；

A5、底部衬底电极的形成：对进行了NO退火的SiC外延片进行底部衬底电极的生长，并进行电极退火；

A6、栅电极的形成：对进行了衬底电极退火的SiC外延片进行栅电极的形成。

2.根据权利要求1所述的改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于：所述步骤A2的具体工艺为：将进行了表面清洗的SiC外延片放入高温氧化炉中，在1150℃时，通入纯氧气，在纯氧条件下氧化SiC外延片正面1小时，生成厚度为8nm的SiO₂氧化膜。

3.根据权利要求1所述的改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于：所述步骤A3的具体工艺为：对生长的SiO₂氧化膜在PDS炉子中进行1000℃下4小时的P氛围退火。

4.根据权利要求1所述的改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于：所述步骤A4的具体工艺为：把已经进行P氛围退火的SiC外延片放入LPCVD室中；然后在650℃下，0.6Torr气压下利用分解TEOS源淀积SiO₂顶层栅介质，其中淀积速率为20nm/min，总共淀积时间为2.5分钟，厚度为50nm；最后关掉TEOS源，在850℃下N₂中原位退火2小时。

5.根据权利要求1所述的改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于：所述步骤A5的具体工艺为：把已经形成顶层栅介质SiO₂的SiC外延片放入直流溅射室中；在SiC外延片背面上溅射厚度为40nm的Ni作为衬底接触金属；然后将进行了衬底电极制作的SiC外延片置于退火炉中在800℃下合金退火30分钟。

6.根据权利要求1所述的改善SiC/SiO₂界面态密度的方法，其特征在于：所述步骤A6的具体工艺为：在进行了衬底电极制作的SiC外延片表面涂光刻胶，甩胶，利用栅版光刻出栅金属区域；然后在刻出栅接触孔的SiC外延片表面上在直流溅射室中溅射厚度为60nm的Mo作为栅接触金属；然后利用剥离方法形成栅图形。