[发明专利]一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜方法和设备有效

专利信息
申请号: 201510903854.5 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN105779958B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 廖斌;何卫峰;欧阳晓平;罗军;张旭;吴先映;王宇东 申请(专利权)人: 北京师范大学
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 直升飞机 叶片 沉积 沙尘 侵蚀 纳米 复合 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜方法,其特征为飞机叶片上沉积的为TiN/DLC/TiN纳米复合膜,包括:

采用金属真空蒸汽离子源(MEVVA)注入方法,在叶片基底表面注入金属元素,形成金属″钉扎层″;

(a)在所述金属″钉扎层″之上,采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到第一层用于释放内应力的薄膜金属过渡层,金属元素为Ti或者Ni,厚度为10~500nm,起弧电流为100-120A,弯管磁场1.4-2.4A,束流80-140mA;

(b)在所述第一层过渡层之上,采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到第二层软DLC膜,软DLC膜层厚度为10~500nm,乙炔进气量在80~230sccm起弧电流100~120A,弯管磁场3.0~4.0A,负压100-300V,沉积时间30~120s,占空比为20~50%;

(c)在所述第二层之上,采用磁过滤阴极真空弧(FCVA)方法,沉积得到第三层超硬TiN膜,起弧电流100~120A,弯管磁场1.4-2.4A,负压150-350V,沉积时间10~120s,占空比为50~100%,氮气进气量为10~30sccm,超硬TiN厚度为10-1000nm;

(d)重复第二层、第三层工艺,沉积得到厚度范围在10-30μm的TiN/DLC/TiN纳米复合膜。

2.根据权利要求1一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜方法,其特征在于:所述基底为发动机叶片。

3.根据权利要求2一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜方法,其特征在于:所述金属元素为Ti或者Ni,其注入电压为4~15kV,束流强度为1~10mA,注入剂量为1×1015~1×1017/cm2,注入深度为70~120nm。

4.根据权利要求1所述一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜方法,其特征在于:

(a)在沉积所述第一层释放应力过渡层时,采用的靶材为金属阴极,起弧电流100-120A,弯管磁场1.4-2.4A,束流80~140mA,负偏压100-300V;

(b)在沉积所述第二层DLC膜时,采用的靶材为金属阴极,起弧电流100~120A,弯管磁场3.0~4.0A,负压100-300V,沉积时间30-120s,占空比为20~50%,乙炔进气量为80~230sccm;

(c)在沉积所述第三层TiN膜时,采用的靶材为Ti阴极,起弧电流100~120A,弯管磁场1.4~2.4A,负压150~350V,沉积时间10~120s,占空比为50~100%,氮气进气量为10~30sccm。

5.根据权利要求1所述一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜的设备,其特征为,包括:

(a)注入装置,配置为利用金属真空蒸汽离子源(MEVVA)系统,利用所述MEVVA离子源向所述基底表面注入金属Ti或Ni元素,形成金属″钉扎层″;其中,Ti或者Ni的注入电压为4~15kV,束流强度为1~10mA,注入剂量为1×1015~1×1017/cm2,注入深度为70~120nm。

(b)沉积装置,配置为磁过滤阴极真空弧(FCVA)系统,利用单管90度磁过滤沉积方式,所述沉积装置包括:

第一沉积装置,用于利用所述FCVA系统,在所述金属″钉扎层″上,磁过滤沉积出第一层金属内应力释放层;其中,所述金属覆盖层的金属元素为Ti或Ni,厚度为10~500nm;

第二沉积装置,用于利用FCVA系统,在第一层内应力释放层表面,磁过滤沉积得到第二层软金属掺杂类金刚石膜层(DLC);其中,所述DLC膜层的厚度为10~500nm。

第三沉积装置,用于利用FCVA系统,在第二层DLC层表面,磁过滤沉积得到超硬TiN膜层,其中,所述TiN膜层的厚度为10~1000nm。

6.一种在直升飞机叶片上沉积抗沙尘侵蚀纳米复合膜,其特征在于,复合膜是采用权利要求1至4任一项所述的方法,以及采用权利要求5中的设备而制备的。

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