[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力限制层和沟道层；

在所述基底上形成栅极结构；

去除栅极结构两侧的沟道层，并在剩余沟道层侧壁内形成凹槽；

去除栅极结构两侧的应力限制层和部分厚度的基底，形成第一开口；

向所述第一开口和凹槽内填充应力材料，形成应力层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底为绝缘层上硅结构，包括底层硅、位于所述底层硅表面的埋氧层以及位于埋氧层表面的顶层硅；所述底层硅为所述衬底，所述埋氧层为所述应力限制层，所述顶层硅为所述沟道层；

在所述基底表面形成栅极结构的步骤中，所述栅极结构位于所述顶层硅上。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述沟道层的厚度在20nm到100nm范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力限制层的材料为氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力限制层的厚度在30nm到100nm范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成凹槽的步骤包括：

刻蚀所述栅极结构两侧的沟道层，形成底部露出应力限制层的第二开口，所述第二开口的侧壁内形成有凹槽；

形成第一开口的步骤包括：刻蚀去除所述第二开口露出的应力限制层和部分厚度的衬底。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口的步骤中，所述凹槽的形状为Sigma形或U形。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成第二开口的步骤包括：采用湿法刻蚀方式刻蚀所述沟道层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽为Sigma形；

形成第二开口的步骤包括：采用四甲基氢氧化铵溶液刻蚀所述沟道层，形成Sigma形凹槽。

10.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽为U形凹槽；

形成所述第二开口的步骤包括：

采用四甲基氢氧化铵溶液刻蚀所述沟道层，形成Sigma形凹槽；

对Sigma形凹槽进行酸洗，形成U形凹槽。

11.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述第二开口露出的应力限制层和部分厚度的衬底的步骤包括采用干法刻蚀工艺去除所述第二开口露出的应力限制层和部分厚度的衬底。

12.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，形成第一开口的步骤中，所述第一开口的形状为U形或方形。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一开口的步骤中，所述第一开口底部至剩余应力限制层表面的高度在100nm到200nm范围内。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成应力层的步骤中，采用选择性外延工艺向所述第一开口和沟槽内填充应力材料，形成应力层。

15.一种晶体管，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力限制层和沟道层；

位于基底上的栅极结构；

形成于栅极结构两侧沟道层、应力限制层以及部分厚度衬底中的应力层，所述应力层在所述沟道层中具有朝向栅极结构下方的凸出。