[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底包括核心区和外围区，所述基底的核心区和外围区表面均包括鳍部以及位于鳍部之间的隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面；

形成侧墙，所述侧墙覆盖位于外围区鳍部的侧壁且暴露出位于核心区鳍部的侧壁；

形成所述侧墙之后，向所述核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子，所述防穿通离子扩散进入鳍部，在鳍部内形成防穿通层；

进行退火工艺处理，以激活所述防穿通层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙的步骤中，所述侧墙的厚度在到范围内。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙的步骤中，所述侧墙的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙的步骤包括：

形成覆盖所述鳍部表面以及所述隔离结构表面的侧墙材料层；

去除所述鳍部顶部表面以及隔离结构表面的侧墙材料层；

去除位于核心区鳍部侧壁的侧墙，以形成覆盖外围区鳍部侧壁的侧墙。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述鳍部表面以及所述隔离结构表面的侧墙材料层的步骤中，所述侧墙材料层的厚度在到范围内。

6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述鳍部顶部表面以及隔离结构表面的侧墙材料层的步骤包括：采用干法刻蚀方式去除所述鳍部顶部表面以及隔离结构表面的侧墙材料层。

7.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述鳍部顶部表面以及隔离结构表面的侧墙材料层的步骤之后，去除位于核心区鳍部侧壁的侧墙的步骤之前，所述形成方法还包括：形成填充外围区鳍部之间并覆盖外围区鳍部顶部和侧壁的掩膜层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，去除位于核心区鳍部侧壁的侧墙的步骤之后，向所述核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子的步骤之前，所述形成方法还包括：去除所述掩膜层。

9.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除位于核心区鳍部侧壁的侧墙的步骤包括：采用湿法刻蚀的方式去除位于核心区鳍部侧壁的侧墙。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述形成基底的步骤包括：

提供半导体衬底；

刻蚀所述半导体衬底以形成基底和位于基底表面的鳍部；

在相邻鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的顶部表面低于所述鳍部的顶部表面。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在相邻鳍部之间形成隔离结构的步骤包括：

形成隔离材料层，所述隔离材料层填充于相邻鳍部之间，且所述隔离材料层的顶部表面高于所述鳍部的顶部表面；

去除所述隔离材料层顶部的部分厚度，露出所述鳍部的部分侧壁，以形成隔离结构。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成隔离材料层的步骤包括：采用流体化学气相沉积工艺形成所述隔离材料层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成基底的步骤中，所述隔离结构的材料包括氧化硅。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子的步骤包括：采用侧向扩散注入的方式向所述核心区和外围区的隔离结构内注入防穿通离子。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行退火工艺处理的步骤包括：采用快速退火的方式进行退火工艺处理。