[发明专利]一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510905593.0 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105463393B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;谢晶;刘栋;高赐国;张晋敏;肖清泉;陈茜;廖杨芳;范梦慧;黄晋 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;H01F41/18;H01F41/22;H01F10/18 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 fe3si 颗粒 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，其特征在于：它包括下述步骤：
第一步骤，选取单晶Si片作衬底，清洗吹干；
第二步骤，在衬底上先溅射沉积一层Si膜，再溅射沉积一层Fe膜，形成Si/Si/Fe结构；
第三步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中退火，获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si 磁性颗粒膜；所述第二步骤中的Si/Si/Fe结构，沉积Fe膜厚度与Si膜厚度比为2:1-4:1；在所述第三步骤中，高真空热处理炉真空度达到8.0×10-4Pa后升温至650～750℃，退火时间为1～4小时。
2.根据权利要求1所述的一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，其特征在于：所述第二步骤中溅射真空度小于等于5.0 ×10-5Pa。
3.根据权利要求1所述的一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，其特征在于：所述第二步骤中，室温下溅射沉积条件如下：溅射气压2.0Pa，氩气流量15sccm，溅射功率110W，溅射总膜厚80～400nm。
4.根据权利要求1所述的一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，其特征在于：整个退火过程真空度不低于2.0×10-3Pa。
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