[发明专利]电阻式记忆胞的操作方法及电阻式内存

权利要求书

1.一种电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，包括：

进行电阻式记忆胞的形成操作，其中所述形成操作是对所述电阻式记忆胞施加偏压，以使所述电阻式记忆胞中形成导电丝，其中在所述形成操作中，提供接地电压到所述电阻式记忆胞的源极线；

在完成所述形成操作后，判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态对应第一操作，其中所述第一状态为设定状态，其中所述第一操作为所述形成操作或设定操作；以及

当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象，其中所述第二操作为重置操作，其中进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作包括下列步骤：

提供第一电压至所述电阻式记忆胞的字符线，提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，并提供接地电压至所述电阻式记忆胞的位线。

2.根据权利要求1所述的电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，所述第一电压比所述第二电压大于一默认电压值，其中所述默认电压值是2伏特。

3.根据权利要求1所述的电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，判断所述电阻式记忆胞是否位于所述第一状态包括下列步骤：

判断所述电阻式记忆胞中的电流值是否大于预设电流门槛值；以及，当所述电流值不大于所述预设电流门槛值时，判定所述电阻式记忆胞没有位于第一状态。

4.根据权利要求1所述的电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，还包括：进行所述电阻式记忆胞关于所述第二操作的互补切换操作之后，再次判断所述电阻式记忆胞是否位于所述第一状态。

5.一种电阻式内存，其特征在于，包括：

多数个电阻式记忆胞；

字符线信号提供电路，耦接至所述电阻式记忆胞的字符线；

位线信号提供电路，耦接至所述电阻式记忆胞的位线；

源极线信号提供电路，耦接至所述电阻式记忆胞的源极线；以及

控制电路，耦接所述字符线信号提供电路、所述位线信号提供电路以及所述源极线信号提供电路，其中所述控制电路通过所述字符线信号提供电路、所述位线信号提供电路以及所述源极线信号提供电路以进行所述电阻式记忆胞的形成操作，在完成所述形成操作后判断每个电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态为设定状态，当一选中电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，所述控制电路通过所述字符线信号提供电路、所述位线信号提供电路以及所述源极线信号提供电路以进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，其中所述第二操作为重置操作，所述控制电路通过所述位线信号提供电路而提供第一电压至所述选中电阻式记忆胞的字符线，通过所述源极线信号提供电路而提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，并通过所述位线信号提供电路而提供接地电压至所述电阻式记忆胞的位线，从而使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象，其中所述选中电阻式记忆胞为所述电阻式记忆胞其中之一，

其中所述形成操作是对所述电阻式记忆胞施加偏压，以使所述电阻式记忆胞中形成导电丝，其中在所述形成操作中，所述控制电路通过所述源极线信号提供电路提供所述接地电压到所述电阻式记忆胞的源极线。

6.根据权利要求5所述的电阻式内存，其特征在于，各所述电阻式记忆胞包括：一电阻式存储元件，其第一端耦接所述位线；以及，一开关组件，其控制端耦接所述字符线，其第一端耦接所述电阻式存储元件的第二端，其第二端耦接所述源极线。

7.根据权利要求5所述的电阻式内存，其特征在于，还包括：

检测电路，耦接各个电阻式记忆胞，其中所述控制电路通过所述检测电路以判断各个电阻式记忆胞中的电流值是否大于预设电流门槛值，且当所述电流值不大于所述预设电流门槛值时，所述检测电路判定对应的所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态，并将对应的所述电阻式记忆胞作为所述选中电阻式记忆胞。

8.根据权利要求5所述的电阻式内存，其特征在于，当进行所述电阻式记忆胞关于所述第二操作的互补切换操作之后，所述控制电路再次判断所述电阻式记忆胞是否位于所述第一状态。

9.一种电阻式记忆胞的操作方法，其特征在于，包括：

进行电阻式记忆胞的形成操作，其中所述形成操作是对所述电阻式记忆胞施加偏压，以使所述电阻式记忆胞中形成导电丝，其中在所述形成操作中，提供接地电压到所述电阻式记忆胞的源极线；

在完成所述形成操作后，判断所述电阻式记忆胞是否位于第一状态，其中所述第一状态为设定状态；以及

当所述电阻式记忆胞没有位于所述第一状态时，进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作，以使所述电阻式记忆胞产生关于所述第二操作的互补切换现象，其中所述第二操作为重置操作，其中进行所述电阻式记忆胞关于第二操作的互补切换操作包括下列步骤：

提供第一电压至所述电阻式记忆胞的字符线，提供第二电压至所述电阻式记忆胞的源极线，并提供接地电压至所述电阻式记忆胞的位线。