[发明专利]一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器及其制造方法

权利要求书

1.一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器，包括衬底、导线底层、导线顶层和包裹有绝缘层的磁性层，所述导线顶层位于所述导线底层上，所述磁性层位于所述导线顶层和所述所述导线底层之间，其特征在于：所述导线底层埋入衬底内，所述导线底层的上表面与衬底平面持平。

2.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征在于，所述导线底层和导线顶层均为Cr膜、Cu膜和Cr膜叠加组成的，所述磁性层为Cr膜、Cu膜、FeCuNbSiB膜、Cu膜和Cr膜叠加组成的。

3.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征在于，所述磁性层由绝缘底层和绝缘顶层包裹，所述绝缘底层和绝缘顶层被导线底层和导线顶层通过触点对接缠绕包裹。

4.根据权利要求1所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征在于，所述导线底层和导线顶层为薄膜斜纹层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征在于：所述磁性层是环型跑道形状。

6.根据权利要求1至4任一项所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器，其特征在于：所述磁性层的厚度为2到10μm。

7.一种底层埋入式微米级三维薄膜电感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在衬底上采用PECVD的方法镀上SiO₂层；

(2)采用负胶光刻，在衬底上暴露出导线底层图案；

(3)采用HF水溶液腐蚀掉暴露的SiO₂，正好露出衬底；

(4)利用磁控溅射生长导线底层，导线底层厚度为步骤(1)中SiO₂层的厚度；

(5)通过去胶工艺，在衬底上得到导线底层；

(6)在导线底层上用PECVD的方法生长绝缘底层；

(7)采用负胶光刻，在绝缘底层上暴露出磁性层图案；

(8)利用磁控溅射生长磁性层；

(9)通过去胶工艺，在衬底上得到导线底层、未腐蚀的绝缘层底层和磁性层；

(10)用PECVD的方法生长绝缘顶层；

(11)采用正胶光刻，在衬底上覆盖绝缘层图案；

(12)采用HF水溶液腐蚀暴露的绝缘顶层，在衬底上得到导线底层、已腐蚀的绝缘层底层、磁性层和已腐蚀绝缘层顶层；

(13)采用负胶光刻，在衬底上暴露出导线顶层图案；

(14)通过去胶工艺，在衬底上得到导线底层、已腐蚀的绝缘层底层、磁性层、已腐蚀的绝缘层顶层和导线顶层，即得到所述底层埋入式微米级三维薄膜电感。

8.根据权利要求7所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器制造方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(14)生长导线底层和导线顶层的过程为依次生长Cr膜、Cu膜和Cr膜；所述步骤(8)生长磁性层的过程为依次生长Cr膜、Cu膜、FeCuNbSiB膜、Cu膜和Cr膜。

9.根据权利要求7所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器制造方法，其特征在于，所述步骤(3)和步骤(12)中的HF水溶液还添加了NH₄F。

10.根据权利要求7所述的底层埋入式微米级三维薄膜电感器制造方法，其特征在于，所述HF水溶液中添加的NH₄F后，HF：NH₄F：H₂O的质量比为1：2：3.3。