[发明专利]半导体处理组件再生方法

说明书

本发明涉及一种半导体处理组件再生方法，其步骤包括：准备包括TaC涂膜层，且在所述TaC涂膜层形成SiC沉积层的半导体处理组件，及在由包括氢气的气体、包括氯气的气体，及不活性气体形成的群中被选择的至少任意一个气体条件下，或者真空条件下，由1700‑2700℃热处理所述半导体处理组件。

技术领域

本发明涉及半导体处理组件再生方法，尤其是涉及除去沉积在包括TaC涂膜层半导体处理组件上的SiC层，再生半导体处理组件的方法。

技术背景

为了制造半导体及显示器，根据处理顺序，通过薄膜的沉积、图案化及腐蚀处理被制造。当反应物质及原材料以气体形式流入到反应室内部，进行沉积处理时，基板布置在反应室内部，如同用于布置基板的衬托器、聚焦环的很多组件被安装在反应室内部。例如，衬托器作为在沉积处理中，用于支持基板的手段，在上部形成带状物，是可支撑一个或者多个基板的一个组件。一般地，半导体处理组件由加工性良好的石墨材料构成。但是，如同SiC沉积处理或者用于制造LED处理，在高温处理中，为了保障稳定性，可使用由SiC或者TaC被涂膜的石墨半导体处理组件。

在半导体处理中，半导体基板外的很多组件暴露在半导体处理的反应气体中，因此，沉积物也沉积在组件的表面。例如，当衬托器被用于SiC沉积处理时，SiC被沉积一定厚度以上的时候，因衬托器表面和SiC沉积层的热膨胀率差异发生裂化，或者SiC沉积层的一部分可被切去。或者，当衬托器被用于制造LED元件的处理时，因附在衬托器表面的颗粒，可降低LED的质量。

为了防止上述问题，使用在沉积处理的半导体处理组件，要执行用于除去沉积在半导体处理组件表面的沉积物或者颗粒的处理。在具有TaC涂膜层的半导体处理组件的TaC涂膜层上，SiC被沉积时，因SiC的耐化学性强，所以由物理方法除去。现在被使用的物理研磨方法可以是，例如，利用研磨装置的方法，或者如同记载在申请专利第10-0756640号的喷射干冰的方法。

但是，物理研磨方法具有给半导体处理组件的TaC层带来损伤，可使石墨母材被露出的缺点。还有，当使用物理研磨方法时，为了除去残余颗粒必须执行湿式冲洗，所以需要更多的处理时间，可降低生产性。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的目的是不经过附加地后处理，可无损伤的除去TaC涂膜层的SiC沉积层提供包括由包括氢气的气体、包括氯气的气体及不活性气体形成的群被选择的至少任意一个气体条件下，或者真空条件下，由1700-2700℃热处理半导体处理组件步骤的半导体处理组件再生方法。

但是，本发明所要解决的课题不限于以上提及的课题，没有提及的另外其他课题，可从以下的记载明确地被本领域的技术人员理解。

(二)技术方案

按照一个实施例，本发明的半导体处理组件再生方法，其步骤包括：包括TaC涂膜层，在所述TaC涂膜层准备形成有SiC沉积层的半导体处理组件；及在由包括氢气的气体、包括氯气的气体及不活性气体形成的群中被选择的至少任意一个气体条件下，或者真空条件下，以1700-2700℃热处理所述半导体处理组件。

所述由包括氢气的气体、包括氯气的气体及不活性气体形成的群可包括H₂、HCl、Cl₂、Ar、Ne、Kr、Xe，及N₂。

热处理所述半导体处理组件的步骤，可切断所述SiC沉积层和所述TaC涂膜层之间的化学结合。

所述半导体处理组件再生方法，其步骤还包括：在包括氢气气体的条件下，以1700-2700℃干式冲洗所述半导体处理组件。

在所述半导体处理组件再生方法，干式冲洗所述半导体处理组件之前，所述TaC涂膜层中，包括碳的残留物可遗留在所述TaC涂膜层表面上。