[发明专利]一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法有效
| 申请号： | 201510910126.7 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105551934B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 姜礼华;肖业权;谭新玉;孙宜华;向鹏;肖婷 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 点碳硅基 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；
（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率50W，射频频率13.56MHz，基片温度180℃，腔体压强60Pa，使用氢气稀释到体积浓度为10%的SiH4 气体30sccm，纯度为99.999% 的CH4气体20sccm，镀膜时间3分钟；
（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率60W，射频频率13.56MHz，基片温度180℃，腔体压强80Pa，纯度为99.999% 的CH4气体30sccm，镀膜时间3分钟；
（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复10次；
经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
2.一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；
（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率100W，射频频率13.56MHz，基片温度250℃，腔体压强90Pa，使用氢气稀释到体积浓度为10%的SiH4 气体40sccm，纯度为99.999% 的CH4气体25sccm，镀膜时间5分钟；
（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率80W，射频频率13.56MHz，基片温度250℃，腔体压强140Pa，纯度为99.999% 的CH4气体55sccm，镀膜时间5分钟；
（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复15次；
经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
3.一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；
（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率75W，射频频率13.56MHz，基片温度220℃，腔体压强70Pa，使用氢气稀释到体积浓度为5%的SiH4 气体25sccm，纯度为99.999% 的CH4气体20sccm，镀膜时间7分钟；
（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率70W，射频频率13.56MHz，基片温度220℃，腔体压强100Pa，纯度为99.999% 的CH4气体40sccm，镀膜时间5分钟；
（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复20次；
经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
4.一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；
（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率90W，射频频率13.56MHz，基片温度230℃，腔体压强80Pa，使用氢气稀释到体积浓度为5%的SiH4 气体35sccm，纯度为99.999% 的CH4气体25sccm，镀膜时间6分钟；
（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率75W，射频频率13.56MHz，基片温度230℃，腔体压强120Pa，纯度为99.999% 的CH4气体50sccm，镀膜时间6分钟；
（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复17次；
经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
5.一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：
（1）采用标准RCA清洗技术清洗单晶硅基片；
（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积含有硅量子点的非化学计量比碳化硅薄膜，制备工艺参数为：射频功率80W，射频频率13.56MHz，基片温度240℃，腔体压强80Pa，使用氢气稀释到体积浓度为10%的SiH4 气体40sccm，纯度为99.999% 的CH4气体25sccm，镀膜时间4分钟；
（3）采用等离子体增强化学气相沉积技术在非化学计量比碳化硅薄膜上沉积非晶碳薄膜，制备工艺参数为：射频功率70W，射频频率13.56MHz，基片温度240℃，腔体压强120Pa，纯度为99.999% 的CH4气体45sccm，镀膜时间4分钟；
（4）依次重复步骤（2）与步骤（3），制备周期性多层膜，循环重复12次；
经过上述步骤，一种含硅量子点的碳硅基薄膜材料便制备完成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三峡大学，未经三峡大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510910126.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
