[发明专利]一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池在审
| 申请号： | 201510912065.8 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105355683A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 周大勇;陈开建;施祥蕾;孙利杰;贾巍 | 申请（专利权）人： | 上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/0687;H01L31/0256 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200245 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 量子 结构 正向 太阳能电池 | ||
1.一种基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，包括：量子阱层和间隔层，所述量子阱层和/或所述间隔层为p型掺杂。
2.如权利要求1所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述正向三结太阳能电池采用InGaAs量子阱结构。
3.如权利要求2所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述InGaAs量子阱层的厚度为2~20nm。
4.如权利要求2所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述InGaAs量子阱层中InGaAs材料的In组分介于5%-80%。
5.如权利要求2所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述间隔层采用InGaAs，厚度为5-100nm。
6.如权利要求2所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述间隔层采用GaAs，厚度为5-100nm。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述量子阱层的掺杂浓度为10~10cm。
8.如权利要求1至6中任一项所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述间隔层的掺杂浓度为10~10cm。
9.如权利要求1至6中任一项所述的基于p型掺杂量子阱结构的正向三结太阳能电池，其特征在于，所述量子阱和所述间隔层的周期数为3~200。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海空间电源研究所，未经上海空间电源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510912065.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
