[发明专利]基于EXB841的IGBT驱动与保护电路在审
申请号: | 201510913155.9 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN106877848A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 张凤军 | 申请(专利权)人: | 张凤军 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/567 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110057 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 exb841 igbt 驱动 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。
背景技术
功率器件IGBT是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点,是目前最引人注目的功率器件。近年来IGBT在高、中频电源,电机调速,不间断电源,焊接电源等电力变换装置中得到广泛的应用。
IGBT的门极驱动电路影响IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路电流能力及dVce/dt电流等参数,决定了IGBT的静态与动态特性。当电路发生故障时,必须采取适当措施保护IGBT。其驱动和保护电路的性能直接影响到IGBT性能的发挥和整个系统的可靠,因此,在使用IGBT时,最重要的工作是要设计好驱动与故障保护电路。
发明内容
为解决上述问题,本发明设计了一种基于EXB841的IGBT驱动与保护电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是。
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路。所述驱动电路以EXB为核心,采用EAR43-10快速恢复二极管,RS触发器采用CD4043构成,与门采用74LS09构成,TLP52为快速光耦;所述保护电路中TLP521的信号延迟时间为2-3个μs,CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns,而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此,保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时,EXB841的5脚电平收高为低,RS触发器S端变为高电平,输出端Q输出高电平,经过三极管,加到与门上的电平为低电平,封锁EXB841的输入信号,达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭,发生故障时,RS触发器将Q端输出的高电平锁住,当排除故障后,可以按动复位按钮,解除对栅极控制信号的封锁。
本发明的有益效果是:基于EXB841的IGBT驱动与保护电路以EXB841为核心,打打简化了IGBT驱动和保护电路的设计,同时提高了可靠性,可靠的过流保护电路,能够避免故障时器件的损坏。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步说明。
图1是用EXB841构成的驱动和保护电路。
具体实施方式
在图1中,基于EXB841的IGBT驱动与保护电路包括驱动电路和保护电路驱动电路以EXB为核心,采用EAR43-10快速恢复二极管,RS触发器采用CD4043构成,与门采用74LS09构成,TLP52为快速光耦;所述保护电路中,TLP521的信号延迟时间为2-3个μs,CD4043的信号延迟时间最大为几百个ns,而74LS09的信号延迟时间最大为几十个ns。因此,保护电路在信号响应上是足够快的。当IGBT发生过流时,EXB841的5脚电平收高为低,RS触发器S端变为高电平,输出端Q输出高电平,经过三极管,加到与门上的电平为低电平,封锁EXB841的输入信号,达到及时撤出栅极信号、保护IGBT的目的。在RS触发器的R端加复位按扭,发生故障时,RS触发器将Q端输出的高电平锁住,当排除故障后,可以按动复位按钮,解除对栅极控制信号的封锁。
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