[发明专利]一种高性能数字输出端口电路在审
申请号: | 201510914979.8 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN106877857A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 韩会义 | 申请(专利权)人: | 韩会义 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110014 辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 数字 输出 端口 电路 | ||
1.一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的高性能数字输出端口电路包括新型快速低转高电平转换电路、新型抗地弹效应输出驱动电路。
2.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型快速低转高电平转换电路中,M1和M2为低阈值NMOS,M3~M6构成保护M1与M2的耐压单元,M7和M8为高阈值PMOS。
3.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的新型快速低转高电平转换电路增加了加速上拉单元,M11/M12管在VDL/ VDR下拉时关闭,不与M1/M2管构成竞争。
4.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的新型快速低转高电平转换电路中,M11/M12管在VDL/ VDR上拉时开启,提升电路的上拉能力,从而达到在增强上拉的同时,不用同时增强下拉来对抗上拉竞争的目的。
5.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路主要包括控制逻辑和输出驱动2部分。
6. 根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路中,MP1管和MN1管为输出驱动管,MP2管和MN2管为输出续流管,驱动管的尺寸远大于续流管。
7. 根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路利用PMOS控制逻辑模块和NMOS控制逻辑模块对输出电压采样,实现对输出管的切换。
8.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路采用大尺寸管MN1提供大的泄放电流,采用小尺寸管MN2续流,满足了电路对于延时的要求。
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