[发明专利]一种高性能数字输出端口电路在审

专利信息
申请号: 201510914979.8 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN106877857A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 韩会义 申请(专利权)人: 韩会义
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110014 辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 性能 数字 输出 端口 电路
【权利要求书】:

1.一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的高性能数字输出端口电路包括新型快速低转高电平转换电路、新型抗地弹效应输出驱动电路。

2.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型快速低转高电平转换电路中,M1和M2为低阈值NMOS,M3~M6构成保护M1与M2的耐压单元,M7和M8为高阈值PMOS。

3.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的新型快速低转高电平转换电路增加了加速上拉单元,M11/M12管在VDL/ VDR下拉时关闭,不与M1/M2管构成竞争。

4.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述的新型快速低转高电平转换电路中,M11/M12管在VDL/ VDR上拉时开启,提升电路的上拉能力,从而达到在增强上拉的同时,不用同时增强下拉来对抗上拉竞争的目的。

5.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路主要包括控制逻辑和输出驱动2部分。

6. 根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路中,MP1管和MN1管为输出驱动管,MP2管和MN2管为输出续流管,驱动管的尺寸远大于续流管。

7. 根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路利用PMOS控制逻辑模块和NMOS控制逻辑模块对输出电压采样,实现对输出管的切换。

8.根据权利要求1所述的一种高性能数字输出端口电路,其特征是:所述新型抗地弹效应输出驱动电路采用大尺寸管MN1提供大的泄放电流,采用小尺寸管MN2续流,满足了电路对于延时的要求。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩会义,未经韩会义许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510914979.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top