[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器件

权利要求书

1.一种双向瞬态电压抑制器件，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底内设有N型深阱，所述N型深阱内设有对称的第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间设有第一N阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N阱、第二N+注入区，第二N+注入区横跨第一P阱和第一N阱的交界处；第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第三N阱、第四N+注入区、第五P+注入区，第三N+注入区横跨第二P阱和第一N阱的交界处；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极，第四N+注入区和第二P+注入区连接阴极。

2.如权利要求1所述的双向瞬态电压抑制器件，其特征在于：所述第二N阱左侧与第二N+注入区左侧齐平。

3.如权利要求1所述的双向瞬态电压抑制器件，其特征在于：所述第三N阱右侧与第三N+注入区右侧齐平。

4.如权利要求1-3任一所述的双向瞬态电压抑制器件，其特征在于：第二N阱和第三N阱的横向宽度为5V硅平面工艺最小设计规则。