[发明专利]一种高灵敏度紫外光探测器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510915735.1 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN105428435A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 尚恩明;胡少坚;陈寿面 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L31/028 分类号: H01L31/028;H01L31/09;H01L31/18
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹英
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏度 紫外光 探测器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种高灵敏度紫外光探测器,其特征在于,包括:一半导体衬底,建立在衬底上的栅极,以及形成沟道的石墨烯片;其中,石墨烯片上叠设有紫外光吸收型有机薄膜,石墨烯片的两端耦合源、漏电极,并通过栅氧层与栅极隔离。

2.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述有机薄膜为C5-BTBT。

3.根据权利要求2所述的紫外光探测器,其特征在于,所述C5-BTBT中掺杂有p-DR1。

4.根据权利要求3所述的紫外光探测器,其特征在于,所述p-DR1的掺杂比例为4-6%。

5.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述石墨烯片为一至多层。

6.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述源、漏电极为金属电极。

7.根据权利要求6所述的紫外光探测器,其特征在于,所述金属电极材料为Au。

8.一种高灵敏度紫外光探测器的制作方法,其特征在于,包括:提供一半导体衬底,在所述衬底上制备栅极和作为沟道的石墨烯片;在石墨烯片上形成紫外光吸收型有机薄膜,并在有机薄膜上制备源、漏电极。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,石墨烯片沟道的制备方法包括:通过机械剥离方法或者CVD方法获得单层、双层或多层石墨烯片,将获得的石墨烯片转移到所述衬底上;形成紫外光吸收型有机薄膜的方法包括:在转移后的石墨烯片上旋涂紫外光吸收型有机物成膜,并在真空中干燥成型;制备源、漏电极的方法包括:在有机薄膜的两端通过真空蒸发方法淀积电极金属,形成源、漏金属电极。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述衬底为刚性或柔性衬底,所述紫外光吸收型有机薄膜为掺杂有p-DR1的C5-BTBT,所述电极金属为Au。

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