[发明专利]一种高灵敏度紫外光探测器及其制作方法在审
申请号: | 201510915735.1 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105428435A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 尚恩明;胡少坚;陈寿面 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹英 |
地址: | 201210 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 灵敏度 紫外光 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种高灵敏度紫外光探测器,其特征在于,包括:一半导体衬底,建立在衬底上的栅极,以及形成沟道的石墨烯片;其中,石墨烯片上叠设有紫外光吸收型有机薄膜,石墨烯片的两端耦合源、漏电极,并通过栅氧层与栅极隔离。
2.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述有机薄膜为C5-BTBT。
3.根据权利要求2所述的紫外光探测器,其特征在于,所述C5-BTBT中掺杂有p-DR1。
4.根据权利要求3所述的紫外光探测器,其特征在于,所述p-DR1的掺杂比例为4-6%。
5.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述石墨烯片为一至多层。
6.根据权利要求1所述的紫外光探测器,其特征在于,所述源、漏电极为金属电极。
7.根据权利要求6所述的紫外光探测器,其特征在于,所述金属电极材料为Au。
8.一种高灵敏度紫外光探测器的制作方法,其特征在于,包括:提供一半导体衬底,在所述衬底上制备栅极和作为沟道的石墨烯片;在石墨烯片上形成紫外光吸收型有机薄膜,并在有机薄膜上制备源、漏电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,石墨烯片沟道的制备方法包括:通过机械剥离方法或者CVD方法获得单层、双层或多层石墨烯片,将获得的石墨烯片转移到所述衬底上;形成紫外光吸收型有机薄膜的方法包括:在转移后的石墨烯片上旋涂紫外光吸收型有机物成膜,并在真空中干燥成型;制备源、漏电极的方法包括:在有机薄膜的两端通过真空蒸发方法淀积电极金属,形成源、漏金属电极。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述衬底为刚性或柔性衬底,所述紫外光吸收型有机薄膜为掺杂有p-DR1的C5-BTBT,所述电极金属为Au。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510915735.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法
- 下一篇:太阳能电池背电极结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的