[发明专利]一种纳米填料改性电缆材料及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，由以下原料按重量百分比构成：氯丁胶11％～25％，偶联剂1.4％～6.2％，氯丁橡胶27.3％～41.5％，硫化剂1.4％～5％，促进剂0.3％～2.5％，软化剂1.1％～8.3％，防老剂0.3％～3.3％，白炭黑4.1％～14.5％，纳米SiO₂2.7％～10.4％，纳米ZnO2.7％～10.4％，纳米Al₂O₃2.7％～10.4％。

2.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，由以下原料按重量百分比构成：氯丁胶11％，偶联剂6.2％，氯丁橡胶41.5％，硫化剂4.2％，促进剂0.7％，软化剂6.8％，防老剂2.0％，白炭黑4.1％，纳米SiO₂2.7％，纳米ZnO10.4％，纳米Al₂O₃10.4％。

3.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，由以下原料按重量百分比构成：氯丁胶25％，偶联剂1.4％，氯丁橡胶27.3％，硫化剂1.4％，促进剂0.3％，软化剂3.0％，防老剂3.3％，白炭黑8.0％，纳米SiO₂6.0％，纳米ZnO6.0％，纳米Al₂O₃8.0％。

4.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，由以下原料按重量百分比构成：氯丁胶20％，偶联剂3.9％，氯丁橡胶38％，硫化剂5.0％，促进剂2.5％，软化剂1.1％，防老剂0.3％，白炭黑14.5％，纳米SiO₂10.4％，纳米ZnO2.7％，纳米Al₂O₃2.7％。

5.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，所述硫化剂为ZnO和MgO的混合物，其粒径为微米级。

6.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，所述纳米SiO₂的粒径为10nm，比表面积为590～690m²/g。

7.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，所述纳米ZnO的粒径为20nm，比表面积为50m²/g。

8.根据权利要求1所述的一种纳米填料改性电缆材料，其特征在于，所述纳米Al₂O₃的粒径为10～20nm，比表面积为120～140m²/g。

9.一种纳米填料改性电缆材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按重量百分比称取原料；

(2)取氯丁胶、偶联剂、氯丁橡胶、硫化剂、促进剂、软化剂、防老剂、白炭黑，将其加入水中，搅拌均匀得到混合物；

(3)将纳米SiO₂、纳米ZnO和纳米Al₂O₃加入步骤(2)混合物中，搅拌均匀；

(4)待溶液中的水分挥发，获得具有纳米颗粒均匀分布的橡胶母料；

(5)将橡胶母料硫化，获得电缆材料。

10.根据权利要求9所述的一种纳米填料改性电缆材料的制备方法，其特征在于，所述硫化温度为140℃～150℃。