[发明专利]折叠外腔超窄线宽半导体激光器

权利要求书

1.折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：半导体激光器芯片、折叠外腔和整形透镜；所述半导体激光器芯片与折叠外腔的输入端对接耦合；半导体激光器芯片和折叠外腔的端面制作腔面膜；整形透镜位于折叠外腔的输出端；所述折叠外腔包括：保护性上包层和在半导体芯片衬底上制作的直波导、模式转换波导、弯曲波导、单波长反射结构；除了输入端和输出端的直波导，其余每个直波导的两端分别通过各自的模式转换波导与两个弯曲波导相连，位于输出端的直波导上制备有单波长反射结构；所述直波导、模式转换波导、弯曲波导和单波长反射结构的上表面等高，并形成一个通路；所有直波导、模式转换波导和弯曲波导上覆盖保护性上包层。

2.根据权利要求1所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述折叠外腔的材料对激光器的输出波长的吸收损耗小于0.3dB/cm。

3.根据权利要求1所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述直波导是脊形波导、条形波导或折射率引导的波导结构。

4.根据权利要求1所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述弯曲波导的曲线是函数曲线。

5.根据权利要求1或4所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述弯曲波导的激光能量损耗小于0.3dB。

6.根据权利要求1所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述单波长反射结构是一阶光栅、高阶光栅、相移光栅、复合光栅、多周期光栅、光栅波导复合结构、光子晶体结构或光学槽结构，能够对单一波长进行反射，其单波长反射带宽不大于折叠外腔超窄线宽半导体激光器的纵模间隔。

7.根据权利要求1所述的折叠外腔超窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的非出光腔面膜是高反射膜，出光腔面膜以及折叠外腔的两端是增透膜。