[发明专利]一种高效发光二极管芯片的简易制作方法

权利要求书

1.一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于；包括以下步骤：

S01：提供一衬底，在所述衬底上形成外延发光结构；

S02：蒸镀非导电材料于欧姆接触层之上充当电流阻挡层；

S03：在电流阻挡层表面定义出N型电极制作区域及切割道；采用ICP蚀刻N型电极制作区域及切割道，深度至N型导电层的高掺部分；

S04：蒸镀二氧化硅在外延发光结构表面及侧面；然后在P型电极制作区域定义出电流阻挡层面积；采用ICP蚀刻去掉非P型电极制作区域的电流阻挡层，裸露出欧姆接触层；

S05：去除表面所有光刻胶，在表面蒸镀形成ITO导电层；

S06：采用腐蚀溶液去除外延发光结构侧面及N型电极制作区域的二氧化硅，同样也去除此区域二氧化硅之上的ITO导电层，裸露出N型电极制作区域的N型导电层高掺部分；

S07：在芯片表面、侧面及N型电极与外延层之间的电极隔离槽蒸镀氮化硅，形成芯片保护层及电极隔离层；

S08：在芯片表面定义出P型电极制作区域和N型电极制作区域；采用ICP蚀刻去除N型电极制作区域和P型电极制作区域上的芯片保护层，直至裸露出P型电极制作区域的电流阻挡层、ITO导电层及N型电极制作区域的N型导电层高掺部分；

S09：分别在P型电极制作区域和N型电极制作区域上蒸镀且剥离光刻胶，形成P型电极及N型电极；

S10：对芯片进行裂片，分离成独立的芯粒，最终形成具有高光效的发光二极管。

2.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S01中，所述外延发光结构包括缓冲层、非故意掺杂层、N型导电层、有源层、电子阻挡层、P型导电层和欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S02中，所述电流阻挡层为非导电性材料所制。

4.根据权利要求3所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S02中，所述非导电性材料包括SiN、Ti₂O₃和Al₂O₃。

5.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S04中，所述采用ICP蚀刻去掉非P型电极区域的电流阻挡层中，其采用的ICP蚀刻设备具有外延层元素探测功能，在除去完表层的电流阻挡层后，通过探测电流阻挡层之下的外延层元素，若探测到外延层元素且外延层元素的浓度达到对应的数量级，则立刻停止蚀刻。

6.根据权利要求5所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S04中，所述外延层元素为Ga元素。

7.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S08中，所述采用ICP蚀刻去除N型电极制作区域和P型电极制作区域上的芯片保护层中，其采用的ICP蚀刻设备具有外延层元素探测功能，在除去完表层的芯片保护层后，通过探测芯片保护层之下的外延层元素，若探测到外延层元素且外延层元素的浓度达到对应的数量级，则立刻停止蚀刻。

8.根据权利要求7所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S08中，所述外延层元素为Ga元素。

9.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片的简易制作方法，其特征在于：在所述步骤S06中，所述采用的腐蚀溶液仅用于去除外延发光结构侧面和N型电极制作区域中的二氧化硅以及此区域二氧化硅之上的ITO导电层。