[发明专利]用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法

权利要求书

1.用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法，其特征在于：包括如下 步骤：

(1)、选择单粒子试验质子入射方向，具体方法为：

使质子以入射角度α入射器件表面，且质子入射方向在器件表面的投影与器件表面的 一个边平行，获得单粒子翻转截面A1；仍使质子以入射角度α入射器件表面，改变质子入射 方向，使质子在器件表面的投影与所述器件表面的一个边垂直，获得单粒子翻转截面A2，比 较A1与A2，以单粒子翻转截面高的入射方向，确定为最劣入射方向，即单粒子试验各能量质 子的入射方向；所述单粒子翻转截面为单粒子翻转数与入射质子注量的比值；所述入射角 度α取值在设定值B1和B2之间；

(2)、选择单粒子试验质子入射角度，具体方法为：

以步骤(1)确定的单粒子试验质子入射方向，在设定值B1和B2之间变化入射角度α，角 度变化步进为S，获得质子在不同入射角度α入射下的单粒子翻转截面，比较所述单粒子翻 转截面，以单粒子翻转截面最高的入射角度作为单粒子试验质子入射角度；

(3)、选择纳米器件低能质子单粒子试验质子能量范围为0.01～0.1MeV；

(4)、确定获得纳米器件低能质子单粒子试验质子能量范围内的峰值能量M所需的金属 降能膜厚度L1和降能空气层厚度L2、L3，具体方法如下：

(a)、得到使辐射源初始质子通过金属降能膜降能至2～3MeV时金属降能膜的厚度L1， 并使辐射源初始质子降能至2～3MeV；

(b)、得到使能量为2～3MeV质子通过空气层降能至0.2～0.3MeV时空气层的厚度L2，并 使质子能量从2～3MeV降能至0.2～0.3MeV；

(c)、以逐步增加或减少空气层厚度，同时检测比较单粒子翻转截面的方法获得降能空 气层厚度L3，具体为：空气层厚度步进小于300um，调整过程中空气层厚度变化不小于 3.5mm，在各空气层厚度步进下检测单粒子翻转，获得单粒子翻转截面，以单粒子翻转截面 最大时对应的空气层厚度，为质子到达峰值能量M所需的降能空气层厚度L3；

(5)、在步骤(3)确定的单粒子试验质子能量范围内，除峰值能量M外选择不少于四种能 量的质子，根据步骤(4)中确定的峰值能量M对应的金属降能膜厚度L1和降能空气层厚度 L2、L3，获得上述不少于四种能量的质子分别对应的金属降能膜厚度L1’和降能空气层厚度 L2’、L3’；

(6)、选择单粒子试验的质子注量率为5×10⁷～5×10⁸个质子数/cm².s；

(7)、根据步骤(1)～(6)确定的质子入射方向、入射角度α、质子能量范围、峰值能量M及 对应的金属降能膜厚度L1和降能空气层厚度L2、L3；不少于四种能量及对应的金属降能膜 厚度L1’和降能空气层厚度L2’、L3’以及质子注量率进行纳米器件低能质子单粒子翻转试 验。

2.根据权利要求1所述的用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法， 其特征在于：所述步骤(2)中角度变化步进S不大于5°。

3.根据权利要求1所述的用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法， 其特征在于：所述步骤(1)、(2)中试验质子能量范围为10～50MeV。

4.根据权利要求1所述的用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法， 其特征在于：所述步骤(1)中入射角度α取值为45°-65°间的任一角度；所述步骤(2)中入射 角度α在45°-65°之间变化。

5.根据权利要求1所述的用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法， 其特征在于：所述步骤(4)中金属降能膜为铝膜。

6.根据权利要求1所述的用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法， 其特征在于：所述步骤(4)中质子峰值能量M为0.06～0.07MeV。