[发明专利]提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201510917803.8 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105355545A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01S5/323 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 型铟镓砷 薄膜 掺杂 浓度 方法 制备 及其 应用 | ||
1.一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，其特征在于：包括以下步骤：将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar。
2.根据权利要求１所述的一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，其特征在于，退火温度从550℃均匀降到400℃，时间为5min，压力为50mbar。
3.根据权利要求１所述的一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，其特征在于，所述铟镓砷薄膜为InxGa（1-x）As，x为0.4-0.6。
4.一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的P型铟镓砷薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、采用金属有机化学气相沉积法在衬底上生长掺杂碳的P型铟镓砷薄膜；
S2、将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar。
5.根据权利要求4所述一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的P型铟镓砷薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中，金属有机化学气相沉积法反应室压力50±5mbar，温度为450±10℃，设备载气为H2，按摩尔比向反应室内通入铟源、镓源、砷源和碳源，在半绝缘型磷化铟衬底的（100）晶面上生长掺杂碳的铟镓砷薄膜，生长完后将设备载气由H2转为N2，停止通入各材料的源，将反应室在2±0.2min内线性升温至550±10℃。
6.根据权利要求5所述的一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的P型铟镓砷薄膜的制备方法，其特征在于：铟源、镓源和砷源的通入量为：As/（In+Ga）摩尔比为1.2±0.2。
7.根据权利要求4所述的一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的P型铟镓砷薄膜的制备方法，其特征在于：S2、退火后制得的高掺杂P型铟镓砷薄膜的载流子浓度为8.5E19cm-3-2E19cm-3。
8.根据权利要求4所述的一种提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的P型铟镓砷薄膜的制备方法的应用，其特征在于：用于磷化铟基双异质结晶体管的基区的制备，或用于磷化铟基激光器或探测器的P型表面电极接触层的制备，或用于磷化铟基平面掺杂势垒二极管结构中的P型掺杂层的制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
