[发明专利]一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构

权利要求书

1.一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括非掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐变层、重掺杂的P型铟镓砷基区层和N型磷化铟发射区层，其特征在于，所述能带渐变层为四层，其位于集电区层和基区层之间的结构如下表所示。

2.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述基区层InGaAs中掺杂碳，其掺杂浓度为2E19-5E19cm^-3。

3.根据权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述基区层由MOCVD生长完成后在氮气环境下进行原位退火，退火方式为降温退火，退火温度从550℃降到400℃，时间为5min。

4.根据权利要求2所述的外延层结构，其特征在于，所述基区层厚度为20nm-40nm，其InGaAs材料自能带渐变层一侧向发射区层组分渐变，由In_0.55Ga_0.45As渐变为In_0.45Ga_0.55As。

5.根据权利要求4所述的外延层结构，其特征在于，所述集电区层与衬底之间设有次集电区层，所述次集电区层为掺杂Si的N型InGaAs，厚度为0.3-0.5um，掺杂浓度为5E18-2E19cm^-3。

6.根据权利要求4所述的外延层结构，其特征在于，发射区层的上方依次设有发射区接触层和表面电极接触层；所述发射区接触层为掺杂Si的N型InP材料，厚度为100nm-200nm，掺杂浓度为5E18-2E19cm^-3；所述表面电极接触层为掺杂Si的N型InGaAs材料，厚度为50nm-150nm，掺杂浓度为5E18-2E19cm^-3。

7.根据权利要求5所述的外延层结构，其特征在于，所述衬底为(100)晶面的半绝缘型InP材料，厚度为620um。