[发明专利]一种纳米多孔硅的制备方法

权利要求书

1.一种纳米多孔硅的制备方法，其特征在于，以工业硅粉为原料，通过利用前驱体Mg₂Si-Mg合金材料的制备以及去合金化的方法制备出纳米多孔硅材料，具体步骤如下：

步骤1.将镁粉和工业硅粉放于石英管中，然后用分子泵将石英管抽成真空并密封；

步骤2.将石英管放入垂直提拉炉中，以2℃～5℃/min速度升温至700℃～800℃，并保温1h～5h，然后随炉冷至室温，打开石英管，取出Mg₂Si-Mg合金并将其研磨成粉体；

步骤3.将Mg₂Si-Mg合金粉体和金属氯化物熔盐均匀混合，放于刚玉坩埚中，置于管式炉中，并通入Ar气，然后将温度加热到金属氯化物的熔点，保温10h～15h，进行去合金化处理；

步骤4.将步骤3的产物放入盐酸中浸泡5h～10h，然后离心过滤，至溶液的PH值为中性后，在40℃～60℃下真空烘干，制备成纳米多孔硅。

2.根据权利要求1所述一种制备纳米多孔硅的方法，其特征在于，所述步骤1中所用的工业硅粉为微米级，粒度1～2um，纯度>99wt％。

3.根据权利要求1所述一种纳米多孔硅的制备方法，其特征在于，所述步骤1.中，镁粉和工业硅粉的质量比为2～2.5:1。

4.根据权利要求1所述一种纳米多孔硅的制备方法，其特征在于，所述步骤2中升温速率为2℃～5℃/min，金属氯化物熔盐为ZnCl₂或AlCl₃。

5.根据权利要求1所述一种纳米多孔硅的制备方法，其特征在于，所述步骤3中Mg₂Si-Mg合金粉体和金属氯化物熔盐的质量比为1:3～5，温度为300℃，升温速率2℃～5℃/min，所用的盐酸的质量分数为10％，离心转速为8000～10000r/min，时间为5～10min。