[发明专利]复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其制备方法

权利要求书

1.一种复合相变薄膜材料（Si/Ge₂Sb₂Te₅/Si）_n，其特征在于：由n组Si/Ge₂Sb₂Te₅/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge₂Sb₂Te₅纳米薄膜，Ge₂Sb₂Te₅薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆；相邻的两组Si/Ge₂Sb₂Te₅/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜；n为正整数，Si纳米薄膜的厚度为2nm～10nm，Ge₂Sb₂Te₅纳米薄膜的厚度为2nm～10nm，所有Si纳米薄膜的厚度与所有Ge₂Sb₂Te₅纳米薄膜的厚度相同。

2.一种如权利要求1所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge₂Sb₂Te₅/Si）_n的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Si和Ge₂Sb₂Te₅作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

③磁控溅射制备[Si（x）/Ge₂Sb₂Te₅（x）/Si（x）] _n多层复合薄膜，首先清洁Si靶材和Ge₂Sb₂Te₅靶材表面，清洁完毕后，将待溅射的基片旋转到Si靶位，溅射结束后得到Si薄膜层；Si薄膜层溅射完成后，将已经溅射了Si薄膜层的基片旋转到Ge₂Sb₂Te₅靶位，溅射结束后得到Ge₂Sb₂Te₅薄膜层；重复上述溅射Si层和Ge₂Sb₂Te₅层的操作n-1次，然后在最表面一层的Ge₂Sb₂Te₅薄膜上再溅射一层Si薄膜，即得到[Si（x）/Ge₂Sb₂Te₅（x）/Si（x）] _n复合相变薄膜材料。

3. 根据权利要求2所述的复合相变薄膜材料（Si/Ge₂Sb₂Te₅/Si）_n的制备方法，其特征在于：步骤③中Si层溅射速率为0.4～0.5nm/s，Ge₂Sb₂Te₅层溅射速率为 0.35 nm/s～0.45nm/s。