[发明专利]定标黑体光源的制备方法有效
| 申请号： | 201510924564.9 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105417491B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 俞骁;张玉国;孙红胜;吴柯萱;魏建强;宋春晖;郭安波 | 申请（专利权）人： | 苏州诺联芯电子科技有限公司;北京振兴计量测试研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 定标 黑体 光源 制备 方法 | ||
1.一种定标黑体光源的制备方法，包括如下步骤：
提供薄片衬底，并在所述衬底表面制作第一绝缘层；
在所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧的表面制作加热源，所述加热源具有可与外电路实现电性连接的引线区；
在所述加热源背离所述第一绝缘层的一侧的表面制作第二绝缘层；
在第一绝缘层或第二绝缘层背离所述衬底的一侧的表面制作温度传感器；
使所述温度传感器与所述引线区背离所述衬底的一侧形成向外暴露以与外电路实现电性连接的引线通道；
在所述第二绝缘层背离所述加热源的一侧的表面制作黑体薄膜。
2.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述定标黑体光源的制备方法还包括如下步骤：
在所述衬底背离所述第一绝缘层的一侧的表面制作第三绝缘层；
在所述第三绝缘层背离所述衬底的一侧的表面制作发射薄膜，所述发射薄膜的发射率低于所述衬底的发射率。
3.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述衬底为双面抛光的金属片或者硅片。
4.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述温度传感器采用Pt电阻。
5.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述黑体薄膜与所述温度传感器并排设置于所述第二绝缘层上；形成所述引线通道时去除所述第二绝缘层上遮覆所述引线区的部分结构，以使得所述温度传感器和所述加热源的引线区都露出并可与外电路相连。
6.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述温度传感器设置于所述第一绝缘层上，形成所述引线通道时去除所述第二绝缘层上遮覆所述引线区和所述温度传感器的部分结构，以使得所述温度传感器和所述加热源的引线区都露出并可与外电路相连。
7.根据权利要求5所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述黑体薄膜的面积小于所述第二绝缘层的面积。
8.根据权利要求6所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述黑体薄膜的面积小于或等于所述第二绝缘层的面积。
9.根据权利要求1所述的定标黑体光源的制备方法，其特征在于：所述温度传感器设置于所述第一绝缘层上，将所述加热源制作于所述第一绝缘层上未设置所述温度传感器的位置上；将所述第二绝缘层制作于所述加热源上除所述引线区外的位置上。
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