[发明专利]晶振驱动电路

权利要求书

1.一种晶振驱动电路，其特征在于，包括：第一电流镜、第二电流镜和输出路 径；

所述第一电流镜包括互为镜像的第一PMOS管和第二PMOS管；

所述第二电流镜包括互为镜像的第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一PMOS管的漏极电流和所述第一NMOS管的漏极电流连接形成第一电流路 径；

所述第二PMOS管的漏极电流和所述第二NMOS管的漏极电流连接形成第二电流路 径；

所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的源极和地之间连接有第一电阻， 第二电阻连接在所述第一NMOS管的栅极和漏极之间，所述第一NMOS管的漏极和所述 第二NMOS管的栅极相连接；

所述第一电阻使所述第一NMOS管的栅源电压和所述第二NMOS管的栅源电压不相 等，利用所述第一NMOS管和所述第二NMOS管之间的栅源电压差以及所述第一电流路 径和所述第二电流路径的电流成比例的关系使所述第一电流镜和所述第二电流镜形 成一个稳定的负反馈环路并输出和电源电压无关的基准电流；

所述输出路径包括第三PMOS管和第三NMOS管，所述第三PMOS管和所述第二PMOS 管呈镜像关系；

所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的 漏极，反馈电阻连接到所述第三NMOS管的漏极和栅极之间，晶振连接于所述第三NMOS 管的漏极和栅极之间；

第一电容连接在所述第一NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极之间；起振前 所述第一NMOS管的栅极为直流偏置；起振后，所述晶振形成的交流信号通过所述第 一电容后输入到所述第一NMOS管的栅极形成交流偏置；利用所述第一NMOS管在直流 偏置时电流大于在交流偏置时电流的特征，使得在起振前所述负反馈环路输出的基准 电流大、在起振后所述负反馈环路输出的基准电流小；在起振前所述负反馈环路输出 的较大的基准电流使所述输出路径输出的启动电流大、从而提高所述晶振的启动速 度；在起振后所述负反馈环路输出的基准电流变小使晶振驱动电路的功耗降低。

2.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于，包括：通过增加所述第三 PMOS管的沟道宽度和长度的比值提高所述启动电流。

3.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第一PMOS管的漏极和 所述第一NMOS管的漏极直接连接形成第一电流路径。

4.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第二PMOS管的漏极和 所述第二NMOS管的漏极直接连接形成第二电流路径。

5.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第一PMOS管的漏极通 过一个栅极偏置的PMOS管和一个栅极偏置的NMOS管连接到所述第一NMOS管的漏极 形成第一电流路径，所述第一电流路径中所述第一PMOS管和其连接的栅极偏置的 PMOS管形成共源共栅结构、所述第一NMOS管和其连接的栅极偏置的NMOS管形成共源 共栅结构。

6.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第二PMOS管的漏极通 过一个栅极偏置的PMOS管和一个栅极偏置的NMOS管连接到所述第二NMOS管的漏极 形成第二电流路径，所述第二电流路径中所述第二PMOS管和其连接的栅极偏置的 PMOS管形成共源共栅结构、所述第二NMOS管和其连接的栅极偏置的NMOS管形成共源 共栅结构。

7.如权利要求1所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第一电流镜中还包括 第四PMOS管，所述第四PMOS管和所述第一PMOS管呈镜像关系；

所述第二电流镜中还包括第四NMOS管，所述第四NMOS管和所述第一NMOS管呈 镜像关系；

所述第四PMOS管的漏极电流和所述第四NMOS管的漏极电流连接形成第三电流路 径。

8.如权利要求7所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第四PMOS管的漏极和 所述第四NMOS管的漏极直接连接形成第三电流路径。

9.如权利要求7所述的晶振驱动电路，其特征在于：所述第四PMOS管的漏极通 过一个栅极偏置的PMOS管和一个栅极偏置的NMOS管连接到所述第四NMOS管的漏极 形成第三电流路径，所述第三电流路径中所述第四PMOS管和其连接的栅极偏置的 PMOS管形成共源共栅结构、所述第四NMOS管和其连接的栅极偏置的NMOS管形成共源 共栅结构。