[发明专利]低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器

权利要求书

1.一种低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于，包括：

N+1级环形振荡器，N为大于0的偶数；

第一模控开关及第二模控开关，与所述N+1级环形振荡器中的第N+1级电连接，适于控制所述低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器分频比。

2.根据权利要求1所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：所述N+1级环形振荡器的每一级均包括NMOS管及PMOS管，其中，

每一级中，NMOS管的源极接地，栅极接入注入频率信号Fin；PMOS管的源极接入Vdd，漏极与NMOS管的漏极电连接作为该级的输出；

前一级的输出连接至下一级中的PMOS管的栅极作为下一级的输入，所述N+1级环形振荡器中的第N+1级的输出连接至所述N+1级环形振荡器中的第一级中的PMOS管的栅极作为第一级的输入。

3.根据权利要求1所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：所述第一模控开关为PMOS开关管，所述第二模控开关为NMOS开关管；

所述PMOS开关管的源极与所述N+1级环形振荡器中的第N+1级中的PMOS管的栅极电连接，所述NMOS开关管的源极接入注入频率信号Fin，所述PMOS开关管的栅极及所述NMOS开关管的栅极均与模控信号MC电连接，所述PMOS开关管的漏极及所述NMOS开关管的漏极均与所述N+1级环形振荡器中的第N+1级中的NMOS管的栅极电连接。

4.根据权利要求3所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：所述第一模控开关及所述第二模控开关受所述模控信号MC控制；

当所述模控信号MC为低电平时，所述第一模控开关导通，所述第二模控开关关断，所述N+1级环形振荡器中的第N+1级中的NMOS管的栅极及PMOS管的栅极均接入所述N+1级环形振荡器中的第N级的输出；

当所述模控信号MC为高电平时，所述第一模控开关关断，所述第二模控开关导通，所述N+1级环形振荡器中的第N+1级中的NMOS管的栅极接入注入频率信号Fin，PMOS管的栅极接入所述N+1级环形振荡器中的第N级的输出。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：还包括调谐电容，所述调谐电容与所述N+1级环形振荡器中的第i级的输出电连接，适于调节所述N+1级环形振荡器中的第i级的相位延迟，以提高输入带宽，其中，1≤i≤N。

6.根据权利要求5所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：还包括第三模控开关，所述第三模控开关为NMOS开关管；所述NMOS开关管的栅极与模控信号MC电连接，漏极与所述调谐电容电连接，源极接地；所述调谐电容的一端与所述NMOS开关管的漏极电连接，另一端与所述N+1级环形振荡器中的第i级的输出电连接。

7.根据权利要求6所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：所述第三模控开关受所述模控信号MC控制：当所述模控信号MC为高电平时，所述第三模控开关导通，所述调谐电容接入所述N+1级环形振荡器；当所述模控信号MC为低电平时，所述第三模控开关关断，所述调谐电容未接入所述N+1级环形振荡器。

8.根据权利要求5所述的低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器，其特征在于：所述调谐电容的电容值Ca满足：

Ca=C0+1ω0R0tan(N.arctan(ω0R0C0))]]>

其中，C₀为所述N+1级环形振荡器中的每一级的电容，R₀为所述N+1级环形振荡器中的每一级的电阻，ω₀为所述低功耗宽锁定范围的注入锁定式双模预分频器的分频比为N+1时的频率。