[发明专利]高可见光电子转移Au/g-C3N4负载型光催化材料的制备方法

权利要求书

1.高可见光电子转移Au/g-C₃N₄负载型光催化材料的制备方法，其特征在于，包 括以下步骤：

(1)前驱体热解聚合法制备g-C₃N₄

称取2～10g的二氰二胺作为碳氮源，放入加盖的坩埚中，转至马弗炉中加温去氨； 自然冷却后，研磨得到淡黄色g-C₃N₄粉末；

(2)配制储备液

将1g的AuCl₃·HCl·4H₂O固体颗粒溶于100mL去离子水中，制得浓度为10mg/mL 的AuCl₃·HCl·4H₂O储备液；

(3)光还原沉积法制备Au/g-C₃N₄

将0.3g的g-C₃N₄粉末加至60mL去离子水和15mL无水甲醇的混合溶液中，再加 入130～3140μL的AuCl₃·HCl·4H₂O储备液，首先在黑暗条件下磁力搅拌2小时使Au³⁺与g-C₃N₄充分接触；接着光照3h，光还原反应采用紫外滤光片UVREF使光源的出射 光谱波长在200～400nm范围；反应结束后，抽滤并以去离子水清洗三次，在60℃的空 气气氛下过夜后烘干，得到高可见光电子转移Au/g-C₃N₄负载型光催化材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的加温去氨是指： 碳氮源在马弗炉中先以10℃/min的速率由室温升到500℃，恒温2h；再以5℃/min 的速率升到520℃，恒温2h；通过该加温过程除去碳氮源中的氨成分。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的光源是300W的 氙灯。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(3)的反应过程中，持续通 Ar气以排除O₂的干扰，并持续磁力搅拌。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高可见光电子转移Au/g-C₃N₄负载型光催化材料的比表面积为78～300m²/g，禁带宽度E_g＝2.7eV。