[发明专利]一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法在审
申请号: | 201510926997.8 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN105366714A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 扶雄辉;贺爱华;刘华基;孟苗;岳攀 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | C01G19/02 | 分类号: | C01G19/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 罗观祥 |
地址: | 510632 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 纳米 阵列 合成 方法 | ||
1.一种二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于包括如下步骤:
1)将铜片依次用乙醇、稀硝酸和蒸馏水超声处理,在空气中风干待用;
2)将五水四氯化锡与去离子水搅拌混合均匀,控制溶液的浓度为0.02~6.0 mol/L,形成溶液A;将氢氧化钠和去离子水搅拌混合均匀,形成溶液B,氢 氧化钠在溶液B中的浓度为1.25~6.56mol/L;将溶液A和溶液B混合搅拌均匀, 溶液A和溶液B的体积比为9:1‐1:9;然后将铜片放置在反应釜中,封釜,在 140~220℃下水热反应4~48h,自然冷却至室温,反应产物在蒸馏水或无水乙 醇中浸洗,干燥,得均匀的纳米柱组成的二氧化锡纳米花阵列。
2.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述铜片的规格为:长和宽分别为2cm×1cm,厚度为0.02~0.5cm;铜片的纯度 不少于99.5%。
3.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述铜片依次用乙醇、稀硝酸和蒸馏水超声处理的时间都为5~10分钟。
4.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述水热反应的温度为180~220℃。
5.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述水热反应的时间为8~30h。
6.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述反应釜为带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜。
7.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述浸洗是用镊子夹出产物后在蒸馏水或无水乙醇中进行。
8.根据权利要求1所述的二氧化锡纳米花阵列的合成方法,其特征在于: 所述干燥在室温进行。
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