[发明专利]可靠且强健的电接触件

说明书

本申请涉及可靠且强健的电接触件。在一个实施方式中，可靠且强健的电接触件包括从位于有源裸片的表面上方的第一金属层图案化而成的接触焊盘以及位于接触焊盘上方的多个电介质岛。电介质岛通过形成在电介质岛之间和形成在电介质岛上方的第二金属层的对应部分而相互隔开。接触焊盘、电介质岛和第二金属层提供可靠且强健的电接触件。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年12月15日提交的标题为“Reliable and Robust Wire BondingOver Gate Bus on a DLM Structure”的第62/092,155号临时申请的优先权和权益。在此通过参考将该临时申请的公开内容全部并入本申请中。

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体地涉及可靠且强健的电接触件。

背景技术

在各种应用中使用垂直功率晶体管，诸如基于IV族的沟槽型场效应晶体管(沟槽FET)。例如，基于硅的沟槽金属氧化物半导体FET(沟槽MOSFET)可用于实施功率转换器，诸如同步整流器或者直流(DC)至DC功率转换器。

双层金属(DLM)沟槽MOSFET结构使用两个至少部分重叠的金属层以提供源极接触件和栅极接触件，从而增加器件的有源区域而不增加器件尺寸。在传统的DLM结构中，连续的金属间电介质通常夹置在重叠的金属层之间并用于使源极接触件和栅极接触件相互隔离。然而，例如由于键合接线附接至源极接触件引起的应力会导致断裂穿过连续的金属间电介质层的部分而传播。这种金属间电介质的断裂会不期望地在源极接触件和栅极接触件之间产生短路。

发明内容

本公开涉及一种可靠且强健的电接触件，基本如图中至少一幅图所示和/或如结合图中至少一幅图所述那样，并且如权利要求中所阐述那样。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的用于制造可靠且强健的电接触件的示例性方法的流程图。

图2A示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的初始动作的结果的截面图。

图2B示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的后续动作的结果的截面图。

图2C示出了根据一个实施方式的图2B所示截面中示出的结构的顶视图。

图2D示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的后续动作的结果的截面图。

图2E示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的后续动作的结果的截面图。

图2F示出了根据一个实施方式的图2E的截面图中示出的结构的顶视图。

图2G示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的后续动作的结果的截面图。

图2H示出了根据一个实施方式的执行根据图1的示例性流程图的最终动作的结果的截面图。

具体实施方式

以下描述包含关于本公开的实施方式的具体信息。本领域技术人员将意识到，本公开可以以与本文具体讨论的不同方式来实施。本申请中的附图及其随附的详细描述仅仅涉及示例性的实施方式。除非另有指定，否则图中类似或对应的元件可以通过类似或相应的参考标号来表示。此外，本申请的附图和说明一般不按比例，并且不旨在对应于实际的相对尺寸。

如上所述，在各种应用中使用垂直功率晶体管，诸如基于IV族的沟槽型场效应晶体管(沟槽FET)。例如，基于硅的沟槽金属氧化物半导体FET(沟槽MOSFET)可用于实施功率转换器，诸如同步整流器或者直流(DC)至DC功率转换器。