[发明专利]承载环结构及包含该承载环结构的室系统

权利要求书

1.一种用在被实施用于沉积膜的室中的承载环，其包括，

具有环形盘形状的、有外边缘侧和晶片边缘侧的所述承载环，所述承载环具有在所述外边缘侧和所述晶片边缘侧之间延伸的顶侧，所述晶片边缘侧包括，

低于承载环上表面的较低的承载环表面；

多个接触支撑结构，每个接触支撑结构位于所述较低的承载环表面的边缘且具有在所述较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面的高度，每个接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角，所述渐变的边缘和拐角由没有锐利拐角的大体上为曲面的表面限定；

在所述承载环上表面和所述较低的承载环表面之间的台阶；并且

在所述较低的承载环表面和所述接触支撑结构中的每一个之间的每一个过渡处的内接触边缘；

其中所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。

2.如权利要求1所述的承载环，其中用于沉积膜的所述室包括，

基架，其具有晶片支撑区域和围绕所述晶片支撑区域的承载件支撑表面，所述承载件支撑表面是从所述晶片支撑区域下来的台阶；

叉，其具有围绕所述基架的第一侧部分布置的第一臂和围绕所述基架的第二侧部分布置的第二臂，

其中所述第一和第二臂中的每一个在处于不接触所述承载环的下表面的非啮合状态时位于所述承载件支撑表面下方，而在处于啮合状态时，所述第一和第二臂中的每一个接触所述承载环的所述下表面以抬升所述晶片。

3.如权利要求2所述的承载环，其中所述晶片在被置于所述晶片支撑区域上时被配置为悬于所述承载件支撑表面的一部分之上，且每个接触支撑结构被配置为位于所述晶片的悬空部分下面。

4.如权利要求3所述的承载环，其中处于所述非啮合状态时，不接触分隔距离被限定在所述晶片的所述下边缘表面和每个接触支撑结构的所述顶部之间。

5.如权利要求4所述的承载环，其中处于所述啮合状态时，在所述晶片的所述下边缘表面和每个所述接触支撑结构的所述顶部之间形成接触，其中当在所述啮合状态形成接触时，存在于每个接触支撑结构的所述顶部上的沉积材料被大体上维持在每个接触支撑结构的所述顶部上。

6.如权利要求1所述的承载环，其中所述室还包括，

喷头，其被配置为在操作过程中位于基架上方，所述喷头被配置来提供工艺气体以实现膜在所述晶片上的沉积；

射频(RF)电源，其经由匹配网络连接到所述基架，其中在操作过程中，所述RF电源还能实现所述膜在所述晶片上的沉积。

7.如权利要求6所述的承载环，其中所沉积的所述膜是在后续蚀刻操作中用作蚀刻停止层的可灰化硬掩模(AHM)。

8.如权利要求6所述的承载环，其中所述室还包括，

在所述室中定义的成组的站，每个站包括基架、叉和承载环；

被配置来同时控制所述站中的每一个站的所述叉中的每一个叉的活动的机构，其中所述活动包括，

抬升或降低所述承载环中的每一个；和

转动所述承载环中的每一个到所述成组的站中的另一个。