[发明专利]一种去胶液及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工业用清洗剂领域，尤其涉及一种去胶液及其制备方法。

背景技术

在半导体器件生产过程中，光刻是必不可少的一个重要环节，光刻是感光复印图象和选择性化学腐蚀相结合的综合技术。光刻工艺主要包括涂胶、曝光、显影、腐蚀和去胶等步骤，光刻结果的好坏与工艺过程中每一个步骤有关。涂胶是将光致抗蚀剂(即光刻胶，本发明通称光刻胶)涂在硅片表面，然后曝光；对于负性光刻胶来说，其曝光前是可溶性的，见光后发生光化学反应形成不溶性的高分子物质；经显影、腐蚀之后，光刻胶完成了保护基片上某些部分不被腐蚀的任务，就要被清除掉，即去胶，如果这层光刻胶去除不干净将直接影响硅平面器件和集成电路的成品率及产品质量。

现有的去胶方法有氧化法去胶、等离子体去胶、紫外光分解去胶和去胶剂(也称剥离液)去胶。等离子体去胶和紫外光分解去胶，设备投资大，工效低；氧化法去胶需用浓硫酸浓硝酸等强酸强碱煮沸，操作危险，污染环境。去胶剂去胶需要针对不同的胶质采用不同的配方，没有一种可以通用的去胶剂。

发明内容

本发明要解决的技术问题是现有的去胶方法存在的种种缺陷，为此提供一种去胶液及其制备方法。

本发明的技术方案是：一种去胶液，它包括按重量份计：10-20份无机碱、5-10份松香水、0.2-0.6份松油醇、1.2-1.6份乙二醇单甲醚、4-8份甘油和6-10份去离子水。

一种镜头清洁液的制备方法，它包括以下步骤：（1）、将10-20份无机碱和5-10份松香水混合搅拌均匀，加热至35-45℃后保温形成初液A；（2）、将0.2-0.6份松油醇和1.2-1.6份乙二醇单甲醚混合后装入试管先震荡3-5min再离心10-20min形成初液B，震荡频率为20-30t/min。离心转速为40-50r/min；（3）、将初液A和初液B混合在20-30℃下保温10-14min后加入4-8份甘油形成后液；（4）、将6-10份去离子水冷凝至6-10℃后加入后液搅拌均匀后静置。

本发明的有益效果是制得的去胶剂性质温和，可以适用于大多数胶质和介质，去胶时间短，效果好，由于加入了甘油，可以提高去胶剂的活性及抗氧化能力，延长其存储时间。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步说明。

实施例1:一种去胶液，它包括按重量份计：10份无机碱、5份松香水、0.2份松油醇、1.2份乙二醇单甲醚、4份甘油和6份去离子水。

一种镜头清洁液的制备方法，它包括以下步骤：（1）、将10份无机碱和5份松香水混合搅拌均匀，加热至35℃后保温形成初液A；（2）、将0.2份松油醇和1.2份乙二醇单甲醚混合后装入试管先震荡3min再离心10min形成初液B，震荡频率为20t/min。离心转速为40r/min；（3）、将初液A和初液B混合在20℃下保温10min后加入4份甘油形成后液；（4）、将6份去离子水冷凝至6℃后加入后液搅拌均匀后静置。

实施例2:一种去胶液，它包括按重量份计：15份无机碱、8份松香水、0.4份松油醇、1.4份乙二醇单甲醚、6份甘油和8份去离子水。

一种镜头清洁液的制备方法，它包括以下步骤：（1）、将15份无机碱和8份松香水混合搅拌均匀，加热至40℃后保温形成初液A；（2）、将0.4份松油醇和1.4份乙二醇单甲醚混合后装入试管先震荡4min再离心15min形成初液B，震荡频率为25t/min。离心转速为45r/min；（3）、将初液A和初液B混合在25℃下保温12min后加入6份甘油形成后液；（4）、将8份去离子水冷凝至8℃后加入后液搅拌均匀后静置。

实施例3:一种去胶液，它包括按重量份计：20份无机碱、10份松香水、0.6份松油醇、1.6份乙二醇单甲醚、8份甘油和10份去离子水。

一种镜头清洁液的制备方法，它包括以下步骤：（1）、将20份无机碱和10份松香水混合搅拌均匀，加热至45℃后保温形成初液A；（2）、将0.6份松油醇和1.6份乙二醇单甲醚混合后装入试管先震荡5min再离心20min形成初液B，震荡频率为30t/min。离心转速为50r/min；（3）、将初液A和初液B混合在30℃下保温14min后加入8份甘油形成后液；（4）、将10份去离子水冷凝至10℃后加入后液搅拌均匀后静置。

本发明含有无机碱、松香水、松油醇和乙二醇单甲醚经过步骤（1）和（2）后制得的初液A和初液B可以用于溶解各种半导体上的正性和负性光刻胶，加入的甘油可以提高去胶剂的活性及抗氧化能力，保证其稳定性，延长其存储时间。