[发明专利]一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法

权利要求书

1.一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法，其特征在于它的步骤为：

1）靶材制备

将氧化物半导体粉末和磁性氧化物粉末按照磁性氧化物粉末摩尔百分数为0%25%混合均匀，添加PVA粘结剂，压制成型后进行高温烧结1216h，得到不同磁性元素含量的靶材；

2）多层膜沉积

将26个不同磁性元素含量的靶材置于多靶脉冲激光沉积系统中，并放置基片，基片与靶材之间距离为37cm，腔体真空度高于，调节激光器能量为2700mJ，室温下在基片上按照靶材掺杂量从低到高的顺序依次沉积具有不同磁性元素掺杂量的半导体多层膜，其中单层膜厚为110nm；

3）热处理

对上述多层膜在温度下进行的热处理，得到掺杂磁性半导体梯度材料。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法，其特征在于所述的氧化物半导体粉末为TiO₂、SnO₂、ZnO中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法，其特征在于所述的磁性氧化物粉末为Fe₂O₃、Co₂O₃、NiO、MnO中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种掺杂磁性半导体梯度材料的制备方法，其特征在于所述的基片为Si、SiTiO₃、MgO、LaAlO₃、YSZ、石英、蓝宝石、玻璃基片中的一种。

5.一种掺杂磁性半导体梯度材料，其特征在于由权利要求1所述方法制备。