[发明专利]硅基异质接面太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510931989.2 申请日: 2015-12-15
公开(公告)号: CN106887483A 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 张金隆;杨茹媛;陈坤贤;许硕夫 申请(专利权)人: 盐城金合盛光电科技有限公司
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0747;H01L31/028;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 代理人: 毛广杰
地址: 224799 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅基异质接面 太阳能电池 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明关于一种硅基异质接面太阳能电池及其制备方法,特别有关于一种具有直流电弧放电沉积透明导电膜的硅基异质接面太阳能电池及其制备方法。

背景技术

目前由于国际能源短缺,而世界各国一直持续研发各种可行的替代能源,而其中又以太阳能发电的太阳电池最受到瞩目。目前,以硅晶做成的太阳能电池的转换效率,因其仅能吸收1.1 电子伏特以上的太阳光能的限制、反射光造成的损失、材料对太阳光的吸收能力不足、载子在尚未被导出之前就被材料中的缺陷捕捉而失效,或是载子受到材料表面的悬浮键结捕捉产生复合等诸多因素,皆使其效率下降。因此,现在市售硅晶太阳能电池的转换效率仅约15%,即表示硅晶太阳能电池的高效率化其实还有相当大的空间。其中,太阳能电池高效率化的基本原理就是结合不同能隙的发电层材质,把它们做成叠层结构。

参照美国公告专利第5,213,628号,标题为:光伏组件 (Photovoltaic device),其主要揭示一种结合不同能隙的太阳能电池,借由加入非晶硅本质半导体,增加太阳能电池的载子寿命,减少电子电洞复合机率,提高光电流转换效率。

参照美国公告专利第6,878,921号,标题为:光伏组件与其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof )。如图1所示,其主要揭示一种硅基异质接面太阳能电池,使用铟锡氧化物(In2O3:SnO2,ITO)透明导电膜作为电流分散层,以提升其电流特性及提升光电转换效率的特性。

参照美国公告专利第7,164,150号,标题为:光伏组件及其制作方法(Photovoltaic device and manufacturing method thereof),其主要揭示一种太阳能电池的结构与制备方式。该电池配置一透明导电膜于背电极及光电转换层之间,以使入射光反射回光电转换层中进行再作用,借以改善电流特性并增加电池整体的光电转换效率。

参照美国公告专利第7,601,558号,标题为:具有渐进氧含量的氧化锌透明电极 (Transparent zinc oxide electrode having a graded oxygen content),其主要揭示一种太阳能电池的制备方式。其利用溅镀法沉积氧化锌透明导电膜,借由提高透明导电膜的厚度来提高面的纹理化,借以提升入射光的折射率,进而增加电池整体的光电转换效率。

参照美国公告专利第8,513,044号,标题为:薄膜光伏转换元的制作方法(Method for the manufacturing of thin film photovoltaic converter device),其主要揭示一种太阳能电池的结构与制备方式。其利用溅镀法沉积氧化锌透明导电膜,再利用氢氟酸稀释溶液或离子蚀刻法使透明导电膜形成纹理结构,借此增加入射光的行径长度,增加光吸收量,进而改善组件电池整体的光电转换效率。

对于太阳电池所应用的透明导电膜而言,锡铟氧化物(ITO)一直是主流材料,然而铟矿稀少并且昂贵,并且,在氢电浆中抵抗力弱,因此未来势必要研发取代材料。然而,上述专利揭示的溅镀法所沉积的透明导电膜过于平坦,无法达到所需的粗糙度,形成纹理结构,因此必须额外再进行薄膜的蚀刻制备,导致增加太阳能电池的制造成本。

氧化锌为一具有潜力的材料,其具有资源丰富且成本低廉的优点,未经掺杂的氧化锌即具备一定水平的导电性与光穿透率,并且对氢电浆的耐抗性强,而掺杂铝的氧化锌更具有不亚于ITO的导电性与光穿透率。综上所述,有必要提出一种硅基异质接面太阳能电池以改善上述问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种硅基异质接面太阳能电池,借由直流电弧放电沉积制备出的表面具有粗糙纹理结构的透明导电膜,借此改善电池整体的光电转换效率。

本发明的另一目的在于提出一种硅基异质接面太阳能电池的制备方法,借由以直流电弧放电的高镀率下制备出具有粗糙纹理结构的透明导电膜,借此改善电池整体的光电转换效率。

为达到本发明的主要目的,本发明提供一种硅基异质接面太阳能电池,包括:

一硅基PN接面结构,具有两个相对表面,其中该硅基PN接面结构由一P型半导体层与一N型半导体层所组成,且该P型半导体层的能隙不同于该N型半导体层的能隙;

一第一透明导电膜,设置位于该硅基PN接面结构的一表面,其使用镀率大于1.5 nm/s的直流电弧放电沉积所形成;

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