[发明专利]用于产生偏置输出的偏置电路有效
申请号: | 201510932588.9 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN105912068B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | P·科内奇尼;D·彼得森 | 申请(专利权)人: | 硅实验室公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 赵蓉民,徐东升 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 产生 偏置 输出 电路 | ||
1.一种具有用于产生偏置输出的偏置电路的装置,其包括:
准备电路,其用于当提供给所述准备电路和电压调节器的电源电压足以操作所述电压调节器时输出就绪指示符;
所述电压调节器,其用于接收所述电源电压并且输出调节的电压,所述电压调节器接收来自所述准备电路的第一电流并且当所述就绪指示符未激活时基于所述第一电流控制所述调节的电压;
偏置电路,其用于接收所述调节的电压,并且所述偏置电路包括产生第一带隙偏置电流的第一电路和产生第二偏置电流的第二电路;以及
输出电路,其用于接收所述第一带隙偏置电流和所述第二偏置电流中的一个选定电流,并且基于所述第一带隙偏置电流和所述第二偏置电流中的所述一个选定电流将一个或多个偏置输出输出到一个或多个客户端电路;
其中当所述就绪指示符激活时,所述电压调节器将基于来自所述输出电路的所述一个或多个偏置输出之一控制所述调节的电压。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述准备电路包括第一多个互补金属氧化物半导体电流镜即CMOS电流镜,其中所述第一多个CMOS电流镜中的一个将提供所述第一电流给所述电压调节器。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述输出电路包括第二多个CMOS电流镜,以接收所述第一带隙偏置电流和所述第二偏置电流中的所述一个选定电流,并且由其产生所述一个或多个偏置输出。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一电路包括带隙核心电路并且所述第二电路包括恒定跨导电路。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述电压调节器包括以第一功耗水平操作的第一前置放大器和以第二功耗水平操作的第二前置放大器,其中在占空循环模式的开启部分期间,所述第一前置放大器被控制以被供电,并且在所述占空循环模式的所述开启部分和断开部分期间,所述第二前置放大器被控制以被供电,所述第二功耗水平低于所述第一功耗水平。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述电压调节器包括:
第一开关,用于当所述就绪指示符未激活时提供第一基准电压给所述第一前置放大器,并且当所述就绪指示符激活时提供第二基准电压给所述第一前置放大器;
第二开关,用于当所述就绪指示符激活时向所述电压调节器的输出装置提供所述第一前置放大器的输出,并且当所述就绪指示符未激活时向所述输出装置提供所述第一基准电压。
7.根据权利要求6所述的装置,其进一步包括控制器,用于使所述恒定跨导电路能够在第一时间间隔给所述输出电路的电荷存储装置再充电,并且使所述恒定跨导电路和所述带隙核心电路能够在第二时间间隔执行所述第二偏置电流相对所述第一带隙偏置电流的校准,所述第二时间间隔大于所述第一时间间隔。
8.一种操作偏置电路的方法,其包括:
在第一预定时间间隔后,退出偏置电路的休眠状态,并且使用由所述偏置电路的恒定跨导电路产生的第一偏置电流使所述偏置电路的输出电路的电荷存储装置被刷新;
在刷新所述电荷存储装置后,使所述偏置电路进入所述休眠状态;
在第二预定时间间隔后,退出所述偏置电路的所述休眠状态,并且使所述第一偏置电流与由所述偏置电路的带隙偏置电路产生的第二偏置电流进行比较,并且基于所述比较更新校准值,其中所述校准值被用于相对所述第二偏置电流校准所述第一偏置电流;以及
在更新所述校准值后,使所述偏置电路进入所述休眠状态。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在所述第一预定时间间隔后退出所述休眠状态进一步包括启用所述偏置电路的调节器电路的次级前置放大器。
10.根据权利要求9所述的方法,其中在所述第一预定时间间隔后退出所述休眠状态进一步包括启用所述恒定跨导电路且同时保持禁用所述带隙偏置电路。
11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括启用所述调节器电路的初级前置放大器以使所述调节器电路输出调节的电压。
12.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括,在包括所述偏置电路的集成电路的激活模式中,退出所述休眠状态并且启用所述恒定跨导电路、所述带隙偏置电路以及所述偏置电路的调节器电路的第一前置放大器。
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