[发明专利]固体摄像装置及其制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201510933280.6 | 申请日: | 2012-02-20 |
公开(公告)号: | CN105428381B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 宫波勇树 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种摄像装置,其包括:
半导体基板,其具有作为感光侧的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧,
其中,所述半导体基板包括:
多个光电转换部,
沟槽,其设置在相邻光电转换部之间;
遮光部,其设置为对应于所述沟槽;
滤色器;以及
布线层,其邻近所述半导体基板的所述第二侧,
其中,
在横截面上,所述遮光部设置在所述滤色器和所述半导体基板的所述第一侧之间,
所述沟槽包括像素分离部,所述像素分离部包括第一材料,并且所述沟槽还包括第二材料,
所述像素分离部位于所述半导体基板的所述第一侧中,
在所述沟槽中,所述第一材料被所述第二材料覆盖,
所述第一材料选自由SiN、SiO2、SiCN和SiOC组成的组,并且
所述第二材料包括选自由以下元素的氧化物组成的组的至少一种材料:铪、锆、铝、钽、钛、镁、钇、镧。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,在所述沟槽中,所述第一材料位于所述第二材料的内侧。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述像素分离部在平面上具有格子形状。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其中,所述遮光部在平面上具有格子形状,并且其中,所述遮光部的所述格子形状对应于所述像素分离部的所述格子形状。
5.根据权利要求4所述的摄像装置,其中,所述遮光部的所述格子形状包括开口,入射光通过所述开口到达所述光电转换部。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第二材料包括铪。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第二材料包括氧化铪。
8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,其中,所述像素分离部的所述第一材料包括氧化硅。
9.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中,所述滤色器包括具有互不相同的波长范围的多种滤色器层,并且
所述像素分离部形成为选择性地吸收在所述多种滤色器层中的多种不同波长范围之中具有至少一个波长范围的光。
10.根据权利要求9所述的摄像装置,
其中,所述像素分离部形成为至少选择性地吸收在所述多种滤色器层中的所述多种不同波长范围之中的最短波长的波长范围的光。
11.根据权利要求10所述的摄像装置,
其中,至少设置有第一滤色器层和第二滤色器层作为所述滤色器中的所述多种滤色器层,在所述多种波长范围之中,所述第一滤色器层对于最短波长的第一波长范围的光具有高透射率,所述第二滤色器层对于第二波长范围的光具有高透射率,所述第二波长范围的光具有比所述第一波长范围的波长更长的波长,
所述第一滤色器层和所述第二滤色器层中的每一个对应于多个像素的每一个彼此相邻布置。
12.根据权利要求1所述的摄像装置,还包括:
像素晶体管,其设置在所述半导体基板的所述第二侧上,并且输出由所述光电转换部生成的信号电荷作为电信号,其中所述像素晶体管与布线层电接触,所述布线层设置为覆盖所述像素晶体管。
13.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中,所述第一材料具有与所述半导体基板的折射率不同的折射率。
14.根据权利要求1所述的摄像装置,
其中,所述遮光部包括选自由Ti、W、TiN、以及Ti、W和TiN中至少两者的组合组成的组的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的