[发明专利]一种嵌入式系统及其控制方法有效
申请号: | 201510933701.5 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN106886495B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 高海洋;王景华 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0831 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;邓猛烈 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 系统 及其 控制 方法 | ||
本发明公开了一种嵌入式系统及其控制方法,所述系统包括:总线、存储器地址交换寄存器、存储器地址交换控制模块、第一闪存存储器、第二闪存存储器和随机存取存储器,存储器地址交换控制模块,用于在存储器地址交换寄存器为复位值时,控制第一闪存存储器直接与总线相连,以及控制第二闪存存储器通过存储器地址交换控制模块与总线连接,还用于在存储器地址交换寄存器为置位值时,控制第二闪存存储器直接与总线相连,以及控制第一闪存存储器通过存储器地址交换控制模块与总线连接。采用该系统,以较少的随机存取存储器,将尽可能多的闪存存储器中的程序数据通过随机存取存储器读取,提高读取速度,节约成本。
技术领域
本发明涉及嵌入式系统技术领域,尤其涉及一种嵌入式系统及其控制方法。
背景技术
微控制单元(Micro Control Unit,MCU),又称单片微型计算机或者单片机,是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的中央处理器(Central ProcessingUnit,CPU)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)、定时计数器和多种输入/输出接口等集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制。闪存(Flash Memory,简称Flash)是一种非易失性存储器,既能在掉电的情况下保存数据,又能够进行多次擦除和编程,具有较高的灵活性,逐渐成为MCU中非常重要的程序、数据存储器。
随着MCU的发展,MCU中Flash的容量越来越大,Flash的读取速度成为制约MCU发展的一个重要因素。为了提升Flash的读取速度,大多采取将Flash中程序数据复制到与之相连的RAM中,RAM的读取速度远大于Flash的读取速度,从而提高对这部分程序数据的读取速度。
但是现有技术中,为了提升更多Flash的读取速度,通过增加RAM单元来映射更多Flash单元,RAM单元和Flash单元一一对应设置,而一个RAM单元一般是由6个晶体管组成,比Flash单元需要更多的面积,因此现有技术存在成本较高的缺陷。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种嵌入式系统及其控制方法,旨在使用较少的RAM,将尽可能多的Flash通过RAM提高读取速度,节约成本。
第一方面,本发明实施例提供了一种嵌入式系统,包括:
总线、存储器地址交换寄存器、存储器地址交换控制模块、第一闪存存储器、第二闪存存储器和随机存取存储器;
所述存储器地址交换寄存器、所述存储器地址交换控制模块分别与所述总线连接;
所述存储器地址交换控制模块还分别与所述第一闪存存储器、所述第二闪存存储器和所述随机存取存储器连接,用于在所述存储器地址交换寄存器为复位值时,控制所述第一闪存存储器直接与所述总线相连,以及控制所述第二闪存存储器通过所述存储器地址交换控制模块与所述总线连接,且将所述第二闪存存储器的程序数据写入到所述随机存取存储器;
所述存储器地址交换控制模块还用于在所述存储器地址交换寄存器为置位值时,控制所述第二闪存存储器直接与所述总线相连,以及控制所述第一闪存存储器通过所述存储器地址交换控制模块与所述总线连接,且将所述第一闪存存储器的程序数据写入到所述随机存取存储器。
可选的,所述存储器地址交换控制模块还用于在接收到第一读取请求时,从所述随机存取存储器读取与所述第一读取请求对应的程序数据。
可选的,所述存储器地址交换控制模块还用于在接收到第一写入请求时,将所述程序数据写入到所述随机存取存储器和所述第二闪存存储器中。
可选的,所述存储器地址交换控制模块还用于在接收到第二读取请求时,从所述随机存取存储器读取与所述第二读取请求对应的程序数据。
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