[发明专利]一种发光二极管结构在审
| 申请号： | 201510935333.8 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105514244A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 刘晓峰;舒立明;陈沙沙;张东炎;王良钧;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管结构，包括：衬底，位于衬底之上的发光外延层；其特征在于：所述衬 底下表面设置为粗糙度不同的环状带，从衬底中心到边缘部位粗糙度依次增加。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述衬底下表面粗糙度Ra 取值在0.01~0.6μm之间。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述衬底下表面同一种粗 糙度区域位于同一个环状带内。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述环状带个数不少于3 个。
5.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述环状带粗糙度从衬底 中心到衬底边缘部分依次增加。
6.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述环状带为圆环或者椭 圆环或其它环形。
7.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述粗糙度较大部位通过 探头以及颗粒度较大的研磨液进行研磨实现，所述粗糙度较小部位通过探头以及颗粒度较 小的研磨液进行研磨实现。
8.根据权利要求1所述的一种发光二极管结构，其特征在于：所述粗糙度较大部位通过 研磨工艺实现，所述粗糙度较小部位通过抛光工艺实现。
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