[发明专利]一种新型的臭氧发生器喷气板的设计方法在审
申请号: | 201510936512.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN106887396A | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 赵桂梅 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 臭氧发生器 喷气 设计 方法 | ||
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能电池片制备领域,具体地涉及一种新型的臭氧发生器喷气板的设计方法。
背景技术
对多晶硅电池组件进行封装后,在恶劣环境中长时间使用或双85条件测试会出现功率损耗过大现象。采用原有的制备工艺,组件在长时间使用或双85条件下功率损耗达50%以上。目前主要通过用臭氧发生器往硅片上喷臭氧,使硅片表面生成一种氧化膜,从而降低组件功率损耗。但是,目前的臭氧发生器喷气板气孔的设计存在一定问题,导致通气量不均匀,生成的氧化膜不均匀。现设计一种新型的臭氧发生器喷气板气孔结构,使硅片表面形成均匀的氧化膜。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型的臭氧发生器喷气板的设计方法,解决因臭氧发生器喷气板通气量不均匀导致生成的氧化膜不均匀的问题。
本发明采用的技术方案是:提供一种新型的臭氧发生器喷气板的设计方法,所述的喷气板采用圆台结构气孔组成,相邻两排喷气孔采用相间排列;所述圆台的上直径d2≥0.1mm,下直径d3≥0.2mm,下直径d3>上直径d2;所述的同一排相邻两个气孔的间距C≥0.2mm,相邻两排气孔的间距D≥0.2mm。
本发明的有益效果是使臭氧发生器喷气板的通气量较均匀,能生成均匀的氧化膜。
附图说明
图1 传统的臭氧发生器喷气板气孔的正视图
图2 传统的臭氧发生器喷气板气孔的俯视图
图中:A表示同一排相邻两个气孔的间距;B表示相邻两排气孔的间距;d1表示每个气孔的直径
图3 本发明提供的臭氧发生器喷气板气孔的正视图
图4 本发明提供的臭氧发生器喷气板气孔的俯视图
图中:C表示同一排相邻两个气孔的间距;D表示相邻两排气孔的间距;d2表示气孔圆台结构的上底面直径;d3表示气孔圆台结构的下底面直径。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案作进一步详细地说明。
在本实施例中,采用传统的臭氧发生器喷气板气孔结构和本发明中提供的喷气板气孔结构分别在硅片表面制备氧化膜后,通过检测硅片的亲水性来判断制备的氧化膜的均匀性。传统的臭氧发生器喷气板气孔采用并列式排列结构,其设计尺寸如下:每个气孔的直径d1=1mm,同一排相邻两个气孔的间距A=5mm,相邻两排气孔的间距B=10mm,采用上述的结构尺寸制备的臭氧发生器喷气板气孔,采用该装置在硅片表面制备氧化膜,并进行亲水性检测。首先讲滴水计吸满去离子水,距离硅片2cm高度滴一滴水至硅片上表面的中心点处,20秒后,使用测量器量测水滴直径大小,其直径在20-25mm之间。
采用本发明中提供的臭氧发生器喷气板气孔的结构设计方案,采用交叉式排列圆台结构,其中气孔圆台结构的上底面直径d2=1mm,气孔圆台结构的下底面直径d3=2mm,同一排相邻两个气孔的间距C=5mm,相邻两排气孔的间距D=10mm,采用上述的结构尺寸制备的臭氧发生器喷气板气孔,采用该装置在硅片表面制备氧化膜,并进行亲水性检测。首先讲滴水计吸满去离子水,距离硅片2cm高度滴一滴水至硅片上表面的中心点处,20秒后,使用测量器量测水滴直径大小,其直径在35-40mm之间。通过对上述测试结果进行对比分析可知:本发明提供的臭氧发生器喷气板气孔的设计结构的通气量较均匀,能生成均匀的氧化膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造